OC5022是一款內置60V功率MOS高效率，高精度的開關降壓型大功率LED恒流驅動芯片。

OC5022采用固定關斷時間的峰值電流控制方式，關斷時間可通過外部電容進行調節，工作頻率可根據用戶要求而改變。

OC5022通過調節外置的電流采樣電阻，能控制高亮度LED燈的驅動電流，使LED燈亮度達到預期恒定亮度。在DIM端加PWM信號，可以進行LED燈調光。DIM端同時支持線性調光。

OC5022內部還集成VDD穩壓管以及過溫保護等，減少外圍元件并調高系統可靠性。

OC5022采用ESOP-8封裝。散熱片內置SW腳。

OC5022特點：

1.內置60V MOS

2.寬輸入電壓范圍：3.6V-60V

3.高效率：可高達93%

4.支持PWM調光和線性調光

5.最大工作頻率：1Mhz

6.CS電壓：250mV

7.芯片供電欠壓保護：3.2V

8.關斷時間可調

9.智能過溫保護

10.內置VDD穩壓管

OC5022應用范圍：

1.自行車 電動車 摩托車燈

2.強光手電

3.LED射燈

4.大功率LED照明

5.LED背光

集微網消息，明年旗艦機芯片將進入 7 納米時代，據傳高通下一代處理器驍龍 845/840 已進入研發階段，將采用 7 納米制程，三星電子和臺積電正積極搶單。

AndroidHeadlines 5日報導，據了解高通下一代芯片驍龍 845 進入研發，預計2018 年初問世，三星 Galaxy S9 有望成為首發機型搭載；正如今年上市的驍龍 835，首發機型為三星 Galaxy S8。目前高通驍龍 835 訂單由三星電子一家通吃。

消息稱，驍龍 835 采用 10 納米制程，明年的驍龍 845 將升級至 7 納米制程，和前一代相比，性能將提升 25~35%。三星電子和臺積電都努力爭取訂單，目前臺積電 7 納米制程已進入試產。據稱，目前與臺積電合作的 30 家預定客戶當中，有一半客戶計劃以 7 納米制程打造高性能芯片，包括聯發科、華為旗下海思半導體，以及英偉達（Nvidia）屆時都將采用臺積電即將生產的 7 納米制程。

臺積電日前發布消息顯示，目前正在積極沖刺更先進的制程技術。其中，7 納米制程已于 2017 年 4 月開始試產，2018 年進入量產階段，2019 年推出支持極紫外光（EUV）微影技術的 7+ 納米，2020 年則 5 納米可望進入大規模量產。

韓國媒體ET News 3月14日報導，業界消息傳出，三星打算在4月份加碼投資10納米生產線，還計劃在2018年打造一座全新的7納米半導體廠，策略是要搶在競爭對手之前，把超精細的制程技術研發完成。

相對于臺積電與三星都積極布局 7 納米制程，英特爾（Intel）在制程技術上則采取較保守的態度。就連自家第 8 代酷睿處理器仍沿用 14 納米制程，對比三星與臺積電對制程技術激烈競爭到落差 2 代的情況下，無怪乎臺積電董事長張忠謀曾表示，在 7 納米先進制程的競爭當中，臺積電的對手只有三星。

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