INV1221配合外置 MOSFET， 用于驅動單串 LED 燈珠，通過 VC 端電容消除前級驅動器產生的 100/120 Hz 電流紋波。

自適應的電流調整可以保證 IC 去紋波同時功耗達到最低。

INV1221 將供電輸入端 VIN 電壓鉗位在 30V 左右，當供電電壓超過 31V 時，需在 VIN 端子串聯電阻。 INV1221 允許用戶通過調整采樣電阻阻值來靈活調整 LED 峰值電流，從而避免了短路或者熱插拔時對于 MOSFET 和 LED 燈珠的損害。 INV1221 通過采樣 MOSFET 漏端和 VLMT 端子之間的串聯電阻來設置 LED 負端電壓的最大值，用于限制系統功耗損失。 當 LED 負端電壓超過短路檢測門限值并維持超過 60us， IC 判斷 LED 短路并關斷 MOSFET。 INV1221 維持 MOSFET 關斷狀態13ms，之后自動退出該狀態。

同時 INV1221 也提供過溫保護，當 IC 溫度超過 135℃，過溫保護將啟動。 IC 關閉 MOSFET并維持關閉狀態直至溫度低于

110℃。

INV1221的特點：

• 自適應100/120Hz電流紋波消除芯片

• 輸入端內置鉗位穩壓管

• VG輸出電壓達10V

• LED電流紋波幅度可調s

• LED負端電壓幅度可調

• LED峰值電流可調

• 短路保護

• 熱插拔保護

• 過溫保護

• SOT23-6L 封裝

1.Intel首款5G調制解調器下半年出樣；2.硅晶圓搶貨戰火升溫 傳武漢新芯遭日供應商砍單；3.Nvidia首季財報報捷，營收成長48%帶動股價上揚10%；4.高通乘勝追擊發布驍龍660 擴大手機芯片戰線；5.英特爾推全新低功耗FinFET技術　22納米制程戰場煙硝起；6.Microchip營收、獲利創新高，營收同比增長61.9%

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1.Intel首款5G調制解調器下半年出樣；

（集微網 5月10日報道）今天，英特爾在北京舉行了題為“The NEXT: 加速通向5G之路”的行業發展沙龍。英特爾院士、通信與設備事業部無線標準首席技術專家吳耕分享了英特爾對5G行業的洞察，詳細闡述了英特爾從云端、網絡端到設備端，借助獨有的端到端解決方案和廣泛的5G生態圈，加速通向5G之路。吳耕認為：“5G不只是通信技術的演進，更是一次全面的通信技術和計算技術相互融合的革命。”

英特爾：5G不等于4G加1G

在英特爾看來，5G并不僅僅是簡單的在4G上加1G，也不是僅用于手機通訊。5G不僅能帶來更快的傳輸速率和更高的網絡帶寬，也將帶來超高可靠性和低延遲，并實現大規模機器間的相互通信。因此，5G的應用領域廣泛，無人駕駛、虛擬現實、智慧城市等領域都將因為5G而釋放強大的潛力。

隨著5G等技術的日益成熟以及科技、汽車行業的融合發展，無人駕駛將在未來3-5年內取得突破性進展，2021年無人駕駛汽車將上路。DSRC和4G LTE都可以提供連接性，但不能高速地傳輸大數據文件，而且存在延遲，無法滿足無人駕駛對海量數據的連接需求。5G能夠實現延遲低于1毫秒，峰值傳輸速率高達10Gbps。超低延遲和大數據文件的高速傳輸讓5G能夠像第六感一樣近乎實時地獲取與周圍環境的信息，支持“汽車至一切”（V2X，Vehicle to X）的應用，例如汽車可使用基于云的人工智能和數據，并且與路上其他汽車和包括路燈在內的交通基礎設施進行“溝通”。

5G也將釋放游戲行業的“洪荒之力”，為未來十年的游戲體驗帶來全新的可能性。超低延遲和超高速的5G能夠讓游戲玩家體驗到更多精彩，作為電子競技“不穩定因子”的網絡延遲將成為過去時。此外，高速可靠的5G將讓增強現實中的游戲角色變得更加智慧和敏捷。它讓《精靈寶可夢Go》中的精靈能夠感知現實環境，從而爬到樹上、趴在椅子后或藏在建筑物內；更快速的網絡還提供了與他人一起玩增強現實游戲的新方式。5G還能通過將云計算的強大計算力量引入虛擬現實，為狂熱的游戲迷降低虛擬現實游戲的成本負擔。

英特爾獨有的端到端解決方案

5G代表著行業的重大變革，它要求在無線連接、計算智能和英特爾提供的分布式云資源之間實現前所未有的整合。而從設備端、無線技術到網絡端、云端，英特爾是唯一一家能夠提供5G端到端解決方案的公司。

5G時代的移動設備的范疇不再僅限于手機、平板和移動PC，而是連接數以億計的“物”，如智能家居、無人機、無人汽車等。英特爾致力于與合作伙伴一起開發這樣的創新性設備，并研究在5G條件下的使用模式。今年年初英特爾發布了業內首款面向無人駕駛的GO智能駕駛5G車載通信平臺，讓汽車制造商能夠開發并測試各種使用場景。在無線技術方面，英特爾也具備領先和廣泛的無線通信解決方案，包括業界首款全球通用的5G調制解調器、LTE千兆級性能的英特爾XMM 7560調制解調器、英特爾5G移動試驗平臺等。

在網絡端，5G要求全面的網絡轉型，以具備虛擬核心網、基于云的架構以及先進的數據分析能力。英特爾凌動處理器C3000產品系列、英特爾至強處理器D-1500產品系列、25 GbE英特爾以太網適配器XXV710等技術從數據中心到網絡邊緣，共同提供了更高的安全性、性能和智能。在云端，英特爾強大的數據處理和分析能力為5G時代的到來提供助力。作為無線、計算和云領域的領導廠商，英特爾正在推動5G技術開發，從FPGA到智能設備和軟件定義的數據中心，英特爾提供無與倫比的5G生態系統的規模、創新和專業技術。

英特爾廣泛的5G生態圈合作伙伴

正因為看到5G是一場整合無線技術、計算智能和云的行業革命。面向5G時代，英特爾清醒地認識到，沒有任何一家公司可以獨立推動5G的技術發展。因此，英特爾攜手合作伙伴共同加速通向5G之路。

英特爾一直以善于打造全新的生態系統而著稱。在5G方面，英特爾也積極布局5G生態圈，聯手中國移動、中國電信、AT&T等通信運營商，開展5G試驗，加速網絡轉型；攜手華為、中興、愛立信等通信設備制造商，加速實驗測試，共同演示驗證；聯手業界與機構，推動全球標準統一進程，定義5G未來。此外，英特爾還與寶馬、Mobileye面向2021年推出全面無人駕駛的汽車；并與GE通力合作，將火車變成移動數據中心。

面對數據洪流，英特爾正在轉型成為一家數據驅動的公司，并制定了清晰的數據戰略——借助云和數據中心、物聯網、存儲、FPGA以及5G構成的增長的良性循環，驅動云計算和數以億計的智能、互聯計算設備。5G就是英特爾整個轉型戰略中將整個良性循環串在一起的不可或缺的一環。

2.硅晶圓搶貨戰火升溫 傳武漢新芯遭日供應商砍單；

全球硅晶圓缺貨嚴重，已成為半導體廠營運成長瓶頸，后續恐將演變成國家級的戰火，半導體業者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導體發展陷入硅晶圓不足困境。 硅晶圓已成為半導體產業的關鍵物資，過去10年來硅晶圓產能都是處于供過于求狀態，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導體廠生產線運作，尤其是12吋規格硅晶圓，包括晶圓代工、DRAM、NAND Flash及NOR Flash廠等各方人馬搶翻天。 世界先進表示，2017年營運恐無法如期成長，部分原因是硅晶圓短缺，且預期將一直缺到年底；華邦透露，過去因付款和取貨信用良好，這一波將簽保障長約；旺宏則指出，硅晶圓很缺，且短期內無法紓解，公司政策是無論加價多少，都要買到足夠的量。 信越日前對臺積電、聯電、英特爾、GlobalFoundries等半導體大廠提出簽3年長約，然這幾家大廠為確保未來擴產無虞，仍積極尋求其他硅晶圓供應商貨源。值得注意的是，近期傳出日本Sumco出手砍單，率先砍掉大陸半導體廠武漢新芯的硅晶圓供應量，武漢新芯只好加價向其他供應商找貨源。 武漢新芯主要生產NOR Flash，技術來源是飛索半導體，目前單月產能不多，但Sumco連這么少的產能數量也要砍，業界認為系因硅晶圓已缺到必須犧牲NOR Flash產品線，加上大陸半導體前景不明，供應商選擇押寶臺、美、日半導體大廠，成為優先供貨名單。 供應鏈廠商透露，面對這一波硅晶圓缺貨潮，日本兩大硅晶圓廠Sumco和信越未來產能恐優先供貨給東芝、英特爾、美光、GlobalFoundries、臺積電、聯電等半導體大廠，并特別支持DRAM和3D NAND供應商，因為存儲器價格飆漲，3D NAND單片產值高達5,000~6,000美元，絕對是NOR Flash望塵莫及，這亦使得大陸業者受到最大影響。 由于第3季主流64層和72層3D NAND產能將大量開出，三星、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝之間的戰火急升溫，硅晶圓絕對不能短缺，3D NAND供應商將不顧任何代價，且更有能力付最高價格，以拿到足夠的貨源。 業者預期第3季DRAM和3D NAND半導體廠采購Polished wafer裸晶圓，漲價幅度恐超過20%，而邏輯制程用的磊晶硅晶圓漲價約15~20%，這一波缺貨狀況恐比預期更嚴重，近期不但出現簽長約狀況，廠商亦陸續簽半年到一年的短約。 大陸扶植半導體藍圖中，早已意識到硅晶圓的重要性，遂找來中芯國際創辦人張汝京掌舵大陸硅晶圓廠新升，然半導體客戶在試用過新升的硅晶圓后，認為良率仍待加強，暫無法用到16/14/10/7納米等高端邏輯制程及3D NAND先進制程上。DIGITIMES

3.Nvidia首季財報報捷，營收成長48%帶動股價上揚10%；

Nvidia公布2018首季財報，該季創下19.4億美元營收，較去年同期成長48%，營收上的好表現有賴于近來Nvidia專注推動深度學習，擴大GPU的應用領域。

繪圖芯片大廠Nvidia周二（10/9）公布截至今年4月30日的2018財年首季財報，顯示該季創下了19.4億美元的營收，比去年同期成長48%，當天盤后股價即上漲了10.51%，突破110美元。

最近幾季Nvidia營收都有超過兩位數的大幅成長，例如去年第三季成長54%、去年第四季成長55%，今年第一季成長48%，此外，Nvidia在2017財年（2016年2月到2017年1月）締造了69.1億美元的營收，創下Nvidia史上的新紀錄，比2016財年增加了38%。

Nvidia近來的突出表現有賴于該公司在GPU上所嵌入的深入學習技術，整合人工智能（AI）的GPU產品被應用在各個領域，從消費者網絡、運輸、健康照護到制造業等，Nvidia執行黃仁勛表示，人工智能的時代已然到來。

另一方面，Nvidia的股價也隨著該公司亮眼的表現而水漲船高，在公布2017財年第三季財報（去年11月10日公布）之前，該公司股價多在70美元以下，而半年來漲幅已超過57%。

Nvidia在2018財年第一季延續了以往的成長力道，黃仁勛說，AI革命不但發展快速，而且還在加速中，該公司的GPU深入學習平臺已身為研究人員、網絡巨頭及新創公司的首選，此外，Nvidia的數據中心GPU運算業務的銷售成績已接近去年的3倍。

Nvidia于2018財年首季的每股盈余（EPS）為0.85美元，高于去年同期的0.46美元，但低于上一季的1.13美元。ithome

4.高通乘勝追擊發布驍龍660 擴大手機芯片戰線；

高通(Qualcomm)旗下移動裝置芯片平臺驍龍(Snapdragon)在2017年幾乎將寡占全球高端Android手機芯片市占率，近期高通乘勝追擊，推出采用三星電子(Samsung Electronics)14納米制程技術的Snapdragon 660、630芯片解決方案，有意擴大搶占全球中端智能型手機芯片版圖。 大陸手機代工廠指出，包括小米、Oppo、Vivo已先后向高通輸誠，并獲得IP專利金的談判收益后，高通手機芯片平臺已正式入駐大陸一線手機品牌研發單位，隨著2017年旗艦級手機紛將采用高通Snapdragon 835芯片解決方案，未來大陸手機廠旗下中端手機改用Snapdragon 660、630芯片，將是預期中的事。 高通有意拓展全球中端智能型手機芯片市占率，擴大領土疆域，將帶給聯發科更大的競爭壓力，讓手機芯片雙雄的戰火熱度持續升高。 高通最新的Snapdragon 660、630芯片解決方案，主要是針對攝影、游戲及網路連接性能進一步強化，同時透過14納米制程技術，達到功耗節省的效益。其中，Snapdragon 660加入效能提升20%的Kryo 260 CPU，以及效能提升30%的Adreno 512 GPU；至于Snapdragon 630則采用內建Adreno 508 GPU ，效能亦較前一代提升30%，CPU效能則略增10%。 Snapdragon 660、630芯片解決方案都配備新一代Spectra 160 ISP，支持光學變焦、散焦效果，同時支持雙像素自動對焦及錄影防手震功能，并搭配Snapdragon X12 LTE 數據機，為手機提供最高600Mbps的下載速度，而最新的Quick Charge 4.0技術讓使用者充電5分鐘可通話5小時，以及充電15分鐘就能提供50%電量。 高通Snapdragon 660芯片已在2017年初出貨給客戶，至于Snapdragon 630芯片預定5月底與客戶一同進行首發動作。高通憑藉席卷全球高端手機芯片市場優勢，開始往下搶灘，希望客戶接著采用其新一代中端手機芯片解決方案，全面防堵聯發科的企圖不言而喻。 高通即便在單一芯片解決方案的價格競爭力，仍無法與聯發科相比，但若考量最新Modem芯片技術的高速傳輸優勢，搭配IP權利金的籌碼，高通要說服下游客戶試用的難度并不高，而客戶是否愿意配合，強化合作關系，答案幾乎是肯定的。 事實上，自2016年下半以來大陸一線手機品牌業者紛紛開始靠攏高通，便可看出高通往下俯沖全球中端手機芯片市占率，并非不可為。臺系IC設計業者指出，高通此舉的戰略意義，應是不希望競爭對手跟得太緊，讓高通未來在5G通訊世代可享受經濟利益的時間縮短。 從4G芯片世代的經驗來看，高通太輕忽大陸內需及外銷市場的成長實力，以及聯發科一路追擊的高昂士氣，迫使高通4G手機芯片平臺及IP權利金少賺的利潤至少高達數十億美元。 由于2017年高通Snapdragon 835芯片解決方案在全球高端手機芯片市場可望大獲全勝，高通有意順勢追擊，加快推廣Snapdragon 660、630等中端芯片解決方案，讓競爭對手疲于奔命，在無法有效固守陣地下，自然難以有效坐大，為高通在5G芯片世代爭取更多連勝的籌碼。DIGITIMES

5.英特爾推全新低功耗FinFET技術　22納米制程戰場煙硝起；

英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關開發套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續到位，市場上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯網(IoT)應用所生產之同類芯片而來。 據EE Times Asia報導，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應用及移動裝置產品而開發出來的FinFET技術，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(leakage)較業界28納米產品低100倍，采用相似于14納米的FinFET技術，再透過簡化互連及設計規則，使其在成本上能與28納米制程技術抗衡。 英特爾資深院士暨制程架構與整合部門主管Mark Bohr就提出了22 FFL漏電流相關數據，包括次臨界漏電流(sub-threshold leakage)、閘極氧化層漏電流(gate oxide leakage)、及接面漏電流(junction leakage)，并指出此三數據為影響功耗的關鍵因子，而該制程技術擁有比其他主流技術更低的漏電流。 雖然英特爾拒絕提供22 FFL與22納米FD-SOI的具體比較資訊，不過該公司內部已開始有為22 FFL所設計的產品，也期盼能吸引代工業客戶的青睞。英特爾客戶暨IoT事業與系統架構事業群總裁Murthy Renduchintala表示，英特爾接下來在IoT及網路領域將會有更為寬廣的發展藍圖，期盼能帶來差異化的成效。 另一方面，臺積電不久前也才推出全新22納米超低功耗(ULP)制程技術，據臺積電發言人表示，自家22 ULP技術將可使射頻(RF)元件更上層樓，在低功耗IoT市場當中可說相當具有競爭力。 在英特爾發表22 FFL技術后不久，GlobalFoundries資深產品管理副總Alain Mutricy便提出回應，表示自家制程完全符合生產要求，GlobalFoundries擁有超過50家來自移動裝置、IoT及車用裝置這些高成長領域的客戶，也能感受到來自客戶的強勁需求，。 Mutricy近期亦在GlobalFoundries官網的一篇部落格文章中提到，該公司除了計劃在2020年之前要將德國Dresden廠的22納米產能提升40%外，2月時也曾宣布，將于2019年開始在大陸的合資廠投入22納米FD-SOI(22FDX)產品生產。 Mutricy并指出，在GlobalFoundries的22納米FD-SOI制程規劃發表了近兩年后，如今英特爾與臺積電也推出全新低功耗22納米制程技術，顯見22納米節點已開始成為半導體業兵家必爭之地。DIGITIMES

6.Microchip營收、獲利創新高，營收同比增長61.9%

集微網消息，美國微控制器（MCU）大廠微芯（Microchip）周二盤后公布前季營收、凈利創史上新高，營收9.03億美元，較去年同期跳增61.9%。

微芯2017會計年度第四季（截至3月止）營收9.03億美元，較去年同期跳增61.9%，且高于FactSet調查預估的8.9億美元。

非依據國際公認會計原則（Non-GAAP）凈利年增81%，來2.77億美元，或相當于每股盈余（EPS）1.16美元，亦高于分析師預估的1.06美元。

展望本季，微芯預估營收介于9.2-9.7億美元，EPS介于1.17-1.27美元。對照分析師預估營收為9.13億美元，每股盈余為1.1美元。

微芯當日于正常交易時段收高1.31%，盤后續揚4.94%至80.23美元。

公司:深圳市哲瀚電子科技有限公司

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