型號： MMBT489LT1G
應用范圍：放大
材料： 硅(Si)
集電極最大耗散功率PCM： 0.625
集電極最大允許電流ICM： 1.5
截止頻率fT： 100
晶體管類型: NPN
最大直流集電極電流: 1 A
最大集電極-發射極電壓: 30 V
封裝類型: SOT-23
安裝類型: 表面貼裝
最大功率耗散: 225 mW
最小直流電流增益: 200
晶體管配置: 單
最大集電極-基極電壓: 50 V 直流
最大發射極-基極電壓: 5 V
最大工作頻率: 100 MHz
引腳數目: 3
每片芯片元件數目: 1
高度: 1.11mm
尺寸: 3.04 x 2.64 x 1.11mm
長度: 3.04mm
最低工作溫度: -55 °C
寬度: 2.64mm
最高工作溫度: +150 °C
最大集電極-發射極飽和電壓: 0.2 V
最大基極-發射極飽和電壓: 1.1 V
