STF18N60M2原裝ST晶體管

特征
極低的柵極電荷
•較低的RDS（ON）x區域與前一代
•低柵極輸入電阻
•100%雪崩測試
•齊納保護
應用
•開關應用
LLC轉換器，諧振轉換器
描述
該器件是一個N溝道功率MOSFET
采用新一代MDmesh™發達
技術：MDmesh第二加™低Qg。這
革命性的功率MOSFET聯營公司
垂直結構，以公司的條形布局
產量是世界上最低的阻力和
柵極電荷。因此，它是最適合
苛刻的高效率轉換器。
產品屬性
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh™ II Plus
包裝 管件
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 13A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 21.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 791pF @ 100V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 25W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 280 毫歐 @ 6.5A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3 整包