CL1221是一款性能優異的原邊反饋控制器，集成了多種保護功能。CL1221工作在電感電流斷續模式，適用于85Vac~265Vac輸入電壓、功率5W以內的隔離LED恒流電源。芯片最大限度地減少了系統元件數目并采用SOP8封裝，這些使得CL1221能夠減小系統所占空間。CL1221具有高精度電流采樣電路，使得輸出電流精度達到±3%以內。同時，CL1221具有LED開路/短路保護，過流保護，欠壓保護等。
特點：
◆ ±3%LED輸出電流精度。
◆ 原邊反饋恒流控制。
◆無輔助檢測/供電繞組。
◆ 超低工作電流：250μA（典型值）。
◆ 寬輸入電壓：85Vac~265Vac。
◆內部集成650V功率管。
◆LED短路/開路保護。
◆原邊過流保護。
◆欠壓保護（UVLO）。
應用范圍：
◆GU10 LED射燈
◆LED球泡燈
◆其它LED照明
封裝形式：CL1221采用SOP封裝
CL1221
CL1223
CL1224
CL1226
CL1128
CL1158
CL1100
CL6807
CL6808
CL8805
CL1131
CL1200
CL1570
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IBM、GlobalFoundries與三星的研究人員連手開發革命性的5nm奈米片晶體管，據稱可為智能型手機等行動裝置帶來持續2-3天的電池使用壽命...
IBM的研究人員及其合作伙伴共同開發出基于堆棧硅晶奈米片(nanosheet)的新晶體管架構，據稱這種奈米片晶體管可望用于5nm節點制造FinFET組件。
在本周于日本京都舉行的「超大規模集成電路技術暨電路會議」(2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits)上，IBM及其研究聯盟合作伙伴——包括GlobalFoundries、三星(Samsung)以及設備制造商，共同發表這個在奈米片累積十年研究的新架構。 根據研究人員們表示，該新架構的功耗比FinFET更低許多。
IBM/GlobalFoundries/三星的研究人員共同開發革命性的5nm奈米片晶體管，采用閘極環繞式(GAA)架構，據稱可望為智能型手機帶來2-3天的電池使用壽命（來源：IBM）
研究人員們表示，這項突破可望讓以電池供電的裝置(智能型手機與其他行動裝置)在一次充電后持續2-3天的使用壽命，以及提高人工智能(AI)、虛擬現實(VR)以及甚至超級計算機的效能。
在開發具有200億閘晶體管的7nm測試芯片約兩年后，研究人員們表示至今已為實現具有300億閘晶體管的微型芯片鋪好路了。 據稱這款微型芯片的尺寸只有指甲般的大小，并搭載四相GAA奈米線。 測試結果顯示，在與7nm FinFET的相同功率下，效能提升了40%，或較當今先進的10nm晶體管更省電75%。
IBM指出，新的5nm技術在效能上的突破，將有助于提升其于認知運算的開發，以及朝向更高吞吐量的云端運算與深度學習，以及為所有的行動物聯網(IoT)裝置降低功耗，并延長其電池的使用壽。
美國紐約州立大學理工學院(SUNY Polytechnic Institute)奈米科學與工程學院的奈米技術中心(NanoTech Complex)正準備5nm硅晶奈米片晶體管的測試晶圓，以測試制造硅晶奈米片的技術制程 （來源：SUNY）
為了達到這一技術突破，該研究聯盟必須克服阻礙極紫外光(EUV)微影的問題；目前，EUV 微影技術已經出現在生產7nm FinFET的開發藍圖上了。 研究聯盟發現，EUV除了具有波長更短的優勢，還找到了以芯片設計和制程階段中持續調整其奈米片寬度的方法。 根據研究人員表示，FinFET由于受限于其鰭片的高度而無法微調其性能以及折衷功率，從而使其無法為實現更高性能而增加電流。
研究人員們在位于紐約州阿爾巴尼的科學與工程學院奈米技術中心監看業界最先進制程采用EUV微影工具在的操作狀況；該制程技術的目標在于打造可實現5nm芯片的硅晶奈米片晶體管 （來源：SUNY）
IBM認為，就單儲存單元的DRAM、化學放大光阻劑、銅互連、絕緣上覆硅(SOI)、應變材料、多核心處理器、浸潤式微影、高K電介質、嵌入式DRAM、3D芯片堆棧和氣隙絕緣層而言，其奈米片架構的重要性并不亞于該先進制程技術的突破。 除了在單
Globalfoundries技術長兼全球研發負責人Gary Patton認為，這項宣告具有「開創性」的意義，并展現Globalfoundries正積極追求5nm節點以及更先進的下一代技術制程。
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