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WM8962BECSN/R

發布時間:2017/6/11 16:45:00 訪問次數:568 發布企業:瀚佳科技(深圳)有限公司

系產品種類: 接口—CODEC
型號: WM8962BECSN/R
封裝: WCSP49
數量: 8600
制造商: Cirrus Logic
RoHS: 符合RoHS
類型: Audio CODEC, Stereo Low Power
分辨率: 24 bit
轉換速率: 96 kHz
接口類型: Serial 2-Wire (I2C), 3-Wire (SPI), 4-Wire (SPI)
ADC 數量: 2 ADC
DAC 數量: 2 DAC
工作電源電壓: 1.62 V to 2 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WCSP-49
封裝: Reel
商標: Cirrus Logic
產品: Audio CODECs
系列: WM8962
SNR – 信噪比: 94 dB ADC/98 dB DAC
工廠包裝數量: 5000
電源電壓-最大: 2 V
電源電壓-最小: 1.62 V
WM8962BECSN/R原裝正品誠信經營

聯發科在去年將其高端芯片helio X30和中端芯片helio P30

押寶臺積電的10nm工藝,但是卻因為后者的10nm工藝量

產延遲和良率問題導致X30錯失上市時機,P30傳聞也將被

放棄,受此影響聯發科有意將部分訂單交給GF,避免完全

受制于臺積電重蹈覆轍。


多家芯片企業臺積電的先進工藝量產影響

高通為臺積電的長期大客戶,不過2014年臺積電從三星手

里搶到了蘋果的A8處理器訂單,臺積電采取了優先照顧蘋

果的策略,將其最先進的20nm工藝優先用于生產蘋果的

A8處理器,這導致采用該工藝的高通的驍龍810量產時間

過晚優化時間不足,再加上當時該芯片所采用的ARM高性

能公版核心A57功耗過高,驍龍810出現發熱問題導致高

通在高端市場遭遇重大挫折,高端芯片出貨量同比下滑

六成。

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高通由此出走,將其高端芯片轉交三星半導體代工,當然

這也有它希望籍此獲得三星手機采用它更多的芯片。2015

年底高通采用三星的14nmFinFET工藝生產的驍龍820性

能和功耗優良,大獲市場歡迎,去年其中端芯片驍龍625

也轉用三星的14nmFinFET,近期其中高端芯片驍龍660

同樣轉用三星的14nmFinFET,至此可以說高通已將芯片

訂單大量轉單三星離開臺積電。

華為海思受臺積電的16nmFinFET工藝影響。在高通離開

后,臺積電轉而與華為海思合作開發16nm工藝,2014年

臺積電量產16nm工藝不過由于能耗不佳只是用于生產華為

海思的網通處理器芯片,沒有手機芯片企業采用該工藝;雙

方繼續合作于2015年三季度量產16nmFinFET,不過臺積

電同樣選擇優先照顧蘋果的策略用該工藝生產A9處理器導

致華為海思的麒麟950量產時間延遲。受此影響去年華為海

思選擇采用16nmFinFET工藝生產其新一代高端芯片麒麟

960,而不是等待臺積電的最先進工藝10nm工藝。

聯發科在連續沖擊高端市場而不可得的情況下,去年其計

劃在中端helio P35和高端芯片helio X30上全面采用臺積電

的最先進工藝10nm工藝,不過臺積電的10nm工藝直到今

年初才量產隨后又遇上了良率問題,這導致高端芯片helio

X30上市后被大多數中國手機企業放棄,據說三季度臺積電

用10nm工藝全力生產蘋果的A11處理器而不會再有空余產

能供給其他芯片企業,這也就導致聯發科放棄helio P35,

轉而采用臺積電產能充足的16nmFinFET的改良版1

2nmFinFET生產新款中端芯片helio P30。

聯發科將選擇同時由GF和臺積電代工

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受helio X30上市不受中國大陸手機品牌歡迎以及目前除X30

外沒有芯片可以支持中國最大運營商中國移動要求支持的LTE

Cat7技術所影響,聯發科今年一季度的芯片出貨量大減,季

度出貨量跌穿1億片,營收環比大跌17%,據IC Insights發布

的最新數據顯示今年一季度德國芯片企業英飛凌成功超越聯發

科擠入全球半導體企業第十名,受此打擊后它開始考慮轉變自

己的策略,以擺脫當下在代工方面完全依賴臺積電的局面。

臺媒指聯發科內部開始評估采用極受關注的格羅方德(簡稱GF)

22nm FD-SOI制程,該工藝有低功耗優勢,相較臺積電和Intel

全力開發的FinFET工藝又有成本優勢,在低端手機芯片、物聯

網等領域有廣闊的空間。

格羅方德在中國大陸建設的半導體制造工廠就引入了22nm

FD-SOI制程,希望在這個市場搶奪正高度受關注的物聯網市

場,與臺積電南京廠的16nmFinFET、中芯國際和聯電廈門工

廠的28nm實現差異化競爭。

聯發科采用格羅方德的22nm FD-SOI,估計是用于生產其低

端的手機芯片,憑借低功耗和低成本優勢應對大陸芯片企業展

訊的競爭,同時它也有意用該工藝生產物聯網芯片。聯發科的

物聯網芯片去年以來就在大陸火熱的共享單車市場奪得大量訂

單,近期其有意并購無線通信芯片廠絡達也是意在物聯網市場。

對于聯發科來說,引入一個新的半導體代工企業也有助于它平

衡與臺積電的關系,高通出走后臺積電其實也是相當緊張的,

去年就傳聞它希望吸引高通回歸采用它的10nm工藝,結果卻

是高通進一步將更多的芯片訂單轉往三星。聯發科貴為全球第

二大手機芯片企業,在失去高通更多的芯片訂單后如果聯發科

也將部分訂單轉往格羅方德無疑將讓臺積電更為緊張,將迫使

臺積電思考當前它優先照顧蘋果這種策略的影響。

從這個方面來說,聯發科未來將部分訂單轉往格羅方德是必然

的,而眼下正是一個適當的時機。聯發科的做法也值得中國大

陸芯片企業思考,它們顯然已采取行動,華為海思已與中芯國

際合作開發14nmFinFET工藝,展訊則選擇與Intel合作采用其

相當于臺積電的10nm工藝的14nmFinFET工藝生產芯片。

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