就可實現降壓、恒流驅動功能，并可以通過DIM引腳實現輝度控制功能。具有高的抑制比；其電感電流紋波為20%，且最高工作頻率可達1MHz。QX5241特別適合寬輸入電壓范圍的應用，其輸入電壓范圍從5.5V到36V；而工作溫度范圍從-20C 到85 C降壓型高精度高亮度LED恒流驅動控制器 貼片SOT23-6封裝 原裝正品現貨長期供應車燈放案盡在深圳鑫意誠電子銷售熱線：13380343102 QQ：350948484 銷售員：胡先生
5納米制程
IBM、GlobalFoundries與三星的研究人員連手開發革命性的5nm奈米片晶體管，據稱可為智能型手機等行動裝置帶來持續2-3天的電池使用壽命...
IBM的研究人員及其合作伙伴共同開發出基于堆棧硅晶奈米片(nanosheet)的新晶體管架構，據稱這種奈米片晶體管可望用于5nm節點制造FinFET組件。
在本周于日本京都舉行的「超大規模集成電路技術暨電路會議」(2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits)上，IBM及其研究聯盟合作伙伴——包括GlobalFoundries、三星(Samsung)以及設備制造商，共同發表這個在奈米片累積十年研究的新架構。 根據研究人員們表示，該新架構的功耗比FinFET更低許多。
IBM/GlobalFoundries/三星的研究人員共同開發革命性的5nm奈米片晶體管，采用閘極環繞式(GAA)架構，據稱可望為智能型手機帶來2-3天的電池使用壽命（來源：IBM）
研究人員們表示，這項突破可望讓以電池供電的裝置(智能型手機與其他行動裝置)在一次充電后持續2-3天的使用壽命，以及提高人工智能(AI)、虛擬現實(VR)以及甚至超級計算機的效能。
在開發具有200億閘晶體管的7nm測試芯片約兩年后，研究人員們表示至今已為實現具有300億閘晶體管的微型芯片鋪好路了。 據稱這款微型芯片的尺寸只有指甲般的大小，并搭載四相GAA奈米線。 測試結果顯示，在與7nm FinFET的相同功率下，效能提升了40%，或較當今先進的10nm晶體管更省電75%。
IBM、GlobalFoundries與三星的研究人員連手開發革命性的5nm奈米片晶體管，據稱可為智能型手機等行動裝置帶來持續2-3天的電池使用壽命...
IBM的研究人員及其合作伙伴共同開發出基于堆棧硅晶奈米片(nanosheet)的新晶體管架構，據稱這種奈米片晶體管可望用于5nm節點制造FinFET組件。
在本周于日本京都舉行的「超大規模集成電路技術暨電路會議」(2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits)上，IBM及其研究聯盟合作伙伴——包括GlobalFoundries、三星(Samsung)以及設備制造商，共同發表這個在奈米片累積十年研究的新架構。 根據研究人員們表示，該新架構的功耗比FinFET更低許多。
IBM/GlobalFoundries/三星的研究人員共同開發革命性的5nm奈米片晶體管，采用閘極環繞式(GAA)架構，據稱可望為智能型手機帶來2-3天的電池使用壽命（來源：IBM）
研究人員們表示，這項突破可望讓以電池供電的裝置(智能型手機與其他行動裝置)在一次充電后持續2-3天的使用壽命，以及提高人工智能(AI)、虛擬現實(VR)以及甚至超級計算機的效能。
在開發具有200億閘晶體管的7nm測試芯片約兩年后，研究人員們表示至今已為實現具有300億閘晶體管的微型芯片鋪好路了。 據稱這款微型芯片的尺寸只有指甲般的大小，并搭載四相GAA奈米線。 測試結果顯示，在與7nm FinFET的相同功率下，效能提升了40%，或較當今先進的10nm晶體管更省電75%。石墨烯膜
浙江大學高分子系高超教授團隊研發出一種高導熱超柔性石墨烯組裝膜，導熱率接近理想單層石墨烯導熱率的40%，可反復折疊6000次、彎曲十萬次，有望應用在電子元件導熱、新一代柔性電子器件及航空航天等領域。這一成果日前發表于《先進材料》(Advanced Materials)雜志。
據新華社6月6日報道，現有的宏觀材料中，高導熱和高柔性是一對矛盾，往往難以兼得。石墨烯材料的出現雖然為解決這一矛盾提供了理論上的可能，但此前并沒有研究團隊能實現突破。
高超團隊創造性地提出“大片微褶皺”的材料制備方法：首先將大片單層石墨烯互相交疊，經高溫熱處理后，材料中的含氧基團釋放出氣體，在材料內部形成微氣囊，最后降溫并用機械輥壓成膜，令氣囊的氣體排出形成微褶皺。
在外力作用下，石墨烯膜上的微褶皺會產生彈性變形，外力越大，形變也就越明顯。實驗數據表明，相較于傳統石墨膜材料，石墨烯膜的斷裂伸長率提高了2至3倍。
研究人員介紹，石墨烯微褶皺的可延展性，使它可以耐受反復折疊、打結、扭曲、彎曲、折紙等多種復雜形變，也更適合工業規模化生產。
具備高柔性的石墨烯膜還具有優異的導熱導電性能。實際上，石墨烯膜的導熱率超過了目前市面上宏觀材料的導熱率，平均值達到1900瓦/米·度。
研究人員介紹，電子元器件核心部件都有各自的穩定工作溫度區間，一般而言，溫度提高8℃至10℃，電子器件壽命會降低一半。在實驗中，研究人員將這種石墨烯膜替代商用石墨膜，應用于手機散熱膜上，發現手機CPU處的溫度可以控制在33℃以下，相較商用石墨膜降低了6℃。
