產品種類: IGBT 模塊
制造商: Infineon
RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1700 V
集電極—射極飽和電壓: 2.45 V
在25 C的連續集電極電流: 1390 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 6.25 kW
封裝 / 箱體: PRIME3
最大工作溫度: + 150 C
商標: Infineon Technologies
高度: 38 mm
長度: 250 mm
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
工廠包裝數量: 2
寬度: 89 mm

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21ic訊 Analog Devices, Inc. 最近推出一款高度集成的數字X射線模擬前端(AFE)

ADAS1256，其在多種功耗模式選項下都具有業界最佳的噪聲性能以及最高圖像質

量。這款256通道的ADAS1256數字X射線AFE是業界首款單芯片解決方案，通過

集成低噪聲可編程電荷放大器、相關雙采樣電路和16位模數轉換器(ADC)，可提

供完整的電荷至數字轉換信號鏈。在2微微庫侖滿量程時，560個電子的等效電荷

具有低噪聲系數，因此ADAS1256可提供高分辨率的數字X射線圖像，同時降低病

患所受X射線的照射量。ADAS1256具有每通道1 mW至3 mW的多功能功耗模式，

允許制造商使用多種數字X射線成像手段，包括便攜式放射和乳房X線照相術以及

高速透視和心臟成像

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ADI公司醫療保健部副總裁Pat O’Doherty表示：“由于ADAS1256具有超

低噪聲和動態范圍性能，使數字X射線技術能夠繼續應用于醫學診斷，相比現

有的數字X射線系統，成像質量更佳，同時降低了照射到病患身上的輻射劑量。

ADAS1256數字X射線AFE不僅達到了性能等級，而且符合嚴格的功耗預算要

求，只需這單個設備就能滿足醫療設備設計人員對便攜式數字X射線產品不斷

增長的高性能需求。”

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ADAS1256數字X射線AFE

ADAS1256是一款256通道、同步采樣、高動態范圍、低功耗的模擬前端，可

提供完整的電荷至數字轉換信號鏈。它集成256個低噪聲積分器、低通濾波器、

以及多路復用至一個高速16位模數轉換器(ADC)的相關雙采樣器。所有轉換通

道結果均通過一個LVDS(低壓差分信號)自時鐘串行接口輸出。ADAS1256可通

過SPI兼容型菊花鏈接口編程。它采用高密度的柔性系統(SOF)封裝，可直接安

裝在數字X射線面板上。

ADAS1256數字X射線AFE的主要特性

· 單芯片、256通道、電荷至數字轉換

· 16位分辨率、無失碼

· 同步采樣

· 用戶可調的滿量程范圍高達32 pC(微微庫侖)

· 超低噪聲：560 e−(范圍：2pC)

· 多功能功耗模式每通道1 mW至3 mW

· 掉電和休眠模式低至每通道0.005 mW

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