數據列表
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標準包裝
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3,000
包裝
標準卷帶
類別
分立半導體產品
產品族
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單
系列
-
2SA2092TLQ絕對自己現貨全新進口原裝
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規格
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
1A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
60V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值）
500mV @ 50mA，500mA
電流 - 集電極截止（最大值）
1μA（ICBO）
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
120 @ 100mA，2V
功率 - 最大值
500mW
頻率 - 躍遷
300MHz
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-96
供應商器件封裝
TSMT3
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根據國外媒體報道，日前有內部人士表示，三星已經開始計劃在2019
年使用6nm工藝制造移動芯片，而并且將逐漸大幅減少7nm工藝生產
線的投資。據悉，三星計劃在今年安裝兩款全新的光刻機，并且計劃
在2018年繼續追加投資7臺，這樣就將為未來制造工藝的提升提供了
支持，同時還能大幅提高產品的生產效率。
高通剛剛決定放棄將三星作為自己7nm工藝處理器的生產合作伙伴，
目前兩家公司已經開始在10nm工藝的驍龍825處理器進行合作生產。
而高通未來在放棄三星之后，將開始與臺積電合作，因此在7nm工
藝的訂單上，三星目前暫時處于劣勢。
不過這一決定的最終結果就是，三星明年的大部分訂單都將以8nm
的工藝完成，而這一技術基本上是對目前10nm工藝的升級版。盡管
三星將減少投資，但是未來7nm工藝還是非常有可能使用在三星自
家Exynos處理器的生產上。
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三星的這一舉措具有相當的戰略性，盡管明年的7nm工藝生產會受
到影響，不過從2019年開始，三星將會在與臺積電的競爭中擁有明
顯的優勢。畢竟6nm的制造工藝要比7nm更先進一些。通常來說，
半導體的制造工藝越小，最終產品的功耗和性能上就越優秀。而這
就意味著在2019年，三星將憑借6nm的制造工藝，成為市面上最領
先的芯片制造商。
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