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OMAP3530ECUSA

發布時間:2017/6/29 23:01:00 訪問次數:276 發布企業:瀚佳科技(深圳)有限公司

數據列表 OMAP3530,25 Appl Processor;
OMAP3530,25;
OMAP3530,25,15,03 Errata;

標準包裝 90
包裝 托盤
類別 集成電路(IC)
產品族 嵌入式 - 微處理器
系列 OMAP-35xx
其它名稱 296-37714
OMAP3530ECUSA-ND


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規格 核心處理器 ARM® Cortex®-A8
核數/總線寬度 1 코어,32 位
速度 600MHz
協處理器/DSP 信號處理;C64x+,多媒體;NEON™ SIMD
RAM 控制器 LPDDR
圖形加速 是
顯示與接口控制器 LCD
以太網 -
SATA -
USB USB 1.x (3),USB 2.0(1)
電壓 - I/O 1.8V,3.0V
工作溫度 -40°C ~ 105°C(TJ)
安全特性 -
封裝/外殼 423-LFBGA,FCBGA
供應商器件封裝 423-FCBGA(16x16)
附加接口 HDQ/1 線,I2C,McBSP,McSPI,MMC/SD/SDIO,UART

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東芝今日宣布其成功開發出了全球首款 4-bit 3D 閃存(QLC),有望帶來更

低的制造成本和更高的存儲密度。閃存通過一串帶有電荷的浮動門晶體管

來存儲數據(賦予“0”或“1”即 1-bit),這些存儲塊可以二維(平面型

NAND)或三維(3D NAND)堆疊的形式排列,然后用更多電荷值來對應存

儲更多位元的信息。比如四級(2-bit)閃存被稱為 MLC、八級(3-bit)則為

稱為 TLC 。

QLC 進一步提升到了 16 級(4-bit),可將每格劃分出 16 個單元,從

而實現更大的存儲容量。曾幾何時,業界難以突破 TLC 所需區分的

精確電荷。但最新的進展是,東芝已開發出了 64 層堆疊的 QLC 3D

NAND 。

該方法將核心存儲容量提升到了 768 gigabit,較 TLC 的 512 gigabit

有了顯著提升。東芝表示,新 QLC 核心能夠 16 片堆疊,從而實

現 1.5TB 的存儲容量。

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