制造商: STMicroelectronics
型號：STW6N120K3
數量：8600
RoHS: 符合RoHS
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1200 V
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.4 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Qg-柵極電荷: 34 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
通道模式: Enhancement
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 32 ns
Pd-功率耗散: 150 W
上升時間: 12 ns
系列: N-channel MDmesh
工廠包裝數量: 600
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 58 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
單位重量: 38
STW6N120K3現貨保證原裝假一賠十
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一是全球代工仍是紅火。2017年全球代工業可能有近6%的增長，
達到500億美元，其中臺積電是最大贏家，它在2017年可能有
10%的增長，市占率達58%。市調機構預測，在2020年，全球
代工(包括IDM與純代工)的銷售額可達近640億美元。
二是fabless的風光不再。繼2014年增長7.1%，達880億美元之
后，2015年下降8.5%，預計2016年再下降3.2%。其中可能有兩
個主要因素，一方面是大客戶如蘋果、華為、三星等紛紛設計自
用芯片;另一方面從技術層面看，繼續往10納米及以下發展時，IC
設計的成本急劇增大，終端消費產品逐漸飽和但新的終端應用尚
未及時跟上。因此近期看到高通兼并NXP，它從fabless跨界到
IDM，未來還可能在汽車電子領域中有所作為。
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三是兼并加劇。全球半導體業在2015及2016兩年中的兼并，讓業
界的印象尤為深刻，正所謂”一切皆有可能”。預計2017年會減
緩。據數據統計顯示，2015年全球半導體并購案金額達到1400多
億美元，而中國在其中只占有170多億美元，所占份額不到12%。
四是中國半導體產業崛起不可逆轉。自2014年起，在大基金的推
動下，中國半導體產業正發起再次的挺進，它的聲勢之大，動作之
迅速，己經引起全球的極大反響。中國半導體產業別無選擇，一定
要逆勢而上，而且不能退縮。
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盡管中國半導體產業的發展，可能會吸收之前光伏、面板及LED等
新興產業的發展經驗，在中央與地方政府的兩個方面共同推力下，
采用更多的市場化手段，但是其中難免受到有些非市場化因素的影
響。
觀察上世紀80年代，日本借助發展存儲器超過美國，而爭得全球第
一。之后90年代，韓國依同樣的手法，利用存儲器打敗了日本，而
爭得全球存儲器霸主地位至今。此次中國半導體業欲同樣采用發展
存儲器來打翻身仗，所以不可避免地會引起全球半導體業界的巨大
反響。
對中國半導體業而言，既要盡可能地爭取外援，又要把基點放在依靠
自己的力量為主加強研發。顯然由于中國半導體業與先進地區之間的
差距很大，所以產業的大環境尚不完善，在此影響下，中國半導體業
的崛起可能走的路不會平坦，費時會更長些。
全球半導體市場在經過2014年沖高之后，達3355億美元，增長9.8%，
而接下來的2015年與2016年，已連續兩年處于徘徊期，基本上止步不
前，按產業的周期性規律波動，預計2017年可能會有小幅增長。原因
是推動產業增長的主因之一智能手機，它的數量在2014年增長28%后，
2015年增長7%，而2016年才增長1%，己達飽和，而預期的下一波推
手，如AR/VR、汽車電子及物聯網等尚未達到預期。
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