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摘要：東芝內存出售協商 INCJ：還要不少時間;
關鍵詞：東芝內存
1.東芝內存出售協商 INCJ：還要不少時間;2.下一代存儲器eMRAM蓄勢待發;3.西部數據推出業界首創 96 層 3D NAND 技術
1.東芝內存出售協商 INCJ：還要不少時間;
東芝為對抗合作伙伴威騰電子要求中止芯片事業出售案的主張，不只提告求償，還祭出殺手锏封鎖威騰員工對東芝信息網絡的聯機。
東芝企業欲出售東芝內存，優先協商對象「日美韓聯盟」中的主角、日本產業革新機構董事長志賀俊之說，因聯盟內部協調等需要不少時間，跟東芝達成共識目前尚無頭緒。
日本放送協會（NHK）報導，東芝出售半導體子公司東芝內存，以產業革新機構（INCJ）、美國貝恩資本（Bain CapitalLLC）及南韓半導體業者SK海力士（SK Hynix）等組成的「日美韓聯盟」為優先協商對象。
東芝本來希望能在6月28日股東大會前完成簽約，但未能如愿，目前協商仍持續中。
志賀俊之昨天晚間對日本媒體表示，因為制作文件等文書作業及聯盟內成員間橫向協調，都需要花不少時間。
談到何時能完成協商，他說，「還不到能說明目標的情況」。
至于東芝和半導體事業合資伙伴威騰對立的情況，志賀俊之說，希望雙方用建設性的談判來解決問題，「如果不往更好的方向發展，就很難往前邁進」。 中央社
2.下一代存儲器eMRAM蓄勢待發;
Globalfoundries在2017年VLSI-TSA研討會上發表論文，介紹如何解決eMRAM面臨的挑戰，使其更廣泛地適用于汽車MCU和SoC應用。
繼幾家代工廠公開宣布計劃在今年年底和2018年之前投產磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)后，最近一家代工廠描述了如何通過MRAM為嵌入式應用大幅提升數據保存的能力。
在最近于日本舉行的“2017年國際超大集成電路(VLSI)技術、系統和應用研討會”(VLSI-TSA)上，Globalfoundries在發表研究論文時討論了Everspin Technologies隨嵌入式MRAM (eMRAM)轉向22nm制程節點的進展。
Globalfoundries嵌入式存儲器副總裁Dave Eggleston表示，文中強調的重點突破是eMRAM可在攝氏260度下經由回流焊保存數據、持續十多年維持攝氏125度，以及在攝氏125度具有卓越讀/寫耐用性的能力。這將使eMRAM能夠用于通用微控制器(MCU)和汽車SoC。他說：“磁性層一直缺乏熱穩定度。因此，如果數據保存的問題得以解決，就能開啟更廣泛的市場。”
Eggleston表示，雖然MRAM在先前的技術節點展現了非揮發性、高可靠性以及可制造性，但在微縮至2x nm節點以及相容嵌入式存儲器的后段制程(BEOL)溫度時開始面臨挑戰。如文中所述，磁穿隧接面(magnetic tunnel junction；MTJ)堆疊和整合可在攝氏400度、60分鐘的MTJ圖案化熱預算時最佳化，并相容于CMOS BEOL制程。
Eggleston表示，三家主要的代工廠都推出了采用該技術的產品，客戶并選擇了Globalfoundries的制程開發套件(PDK)進行設計。主要的晶圓設備制造商從幾年前開始投入這個領域，因為他們認為它具有充份的商業潛力，因此該工具可用于MTJ的沉積與蝕刻。Eggleston說：“他們已經與像我們這樣的大型晶圓廠以及像Everspin等小型公司聯手，共同投資與開發產品。”
同時，MCU客戶開始認真地研究如何利用MRAM強化其架構。Eggleston說：“他們實現了更快的寫入速度，也具有更高的耐用性。”這讓他們能在以往可能使用靜態隨機存取存儲器(SRAM)的應用開始使用嵌入式MRAM。他并指出，以電路的簡單性和制造成本來看，2x nm節點正是該技術的甜蜜點。
東芝內存出售協商 INCJ：還要不少時間;2
Globalfoundries的MTJ堆疊和整合已在攝氏400度、60分鐘MTJ圖案化熱預算時最佳化，并相容于CMOS BEOL制程
eMRAM的市場機會和其他新興與現有的存儲器技術并沒有太大的不同：新的大量市場包括移動性、聯網、數據中心、物聯網(IoT)以及汽車等。Eggleston指出，對于Globalfoundries來說，物聯網與汽車市場更重要。“我們曾經說過這兩大市場在很大程度上是相同的，但作為一家代工廠，我們在汽車領取得了更大的成長動能。”
嵌入式快閃存儲器(eFlash)一直是目前普遍使用的嵌入式存儲器，但因應市場需求存在多種新興的存儲器選擇。除了eMRAM以外，還有相變存儲器(PCM)、嵌入式電阻RAM(eRRAM)、碳納米管(CNT)和鐵電場效電晶體(FeFET)等。Eggleston指出，無論是哪一種選擇，都必須在數據保存、效率與速度方面權衡。CNT和FeFET均展現發展潛力，但還不夠成熟，而PCM則適用于特定應用，而無法廣泛用于嵌入式應用。
Eggleston說：“MRAM和RRAM具有類似的功能，二者都是后段校準的存儲器，因而能更易于落實于邏輯制程中。”可用的制程技術包括需要大型芯片、FD-SOI或FinFET的制程。他并表示，eFlash可內建于芯片之中，但如果要建置于各種不同的技術中將更具挑戰性。
Eggleston說，RRAM的堆疊更簡單，因為在電極之間所需的材料較少。他說：“而且它并不需要像MRAM一樣的設備投資。MRAM由于堆疊較復雜，確實需要一些資本設備投資。”然而，他指出，RRAM無法提供滿足更廣泛市場所要求的數據保存、速度以及耐用度等能力。
Eggleston說，MRAM較RRAM勝出之處在于其多功能性，因為它的材料組成可在電極之間加以調整。“你可以為其進行調整，使其具有更好的數據保存能力，或是支援更快的寫入速度與耐用性。”他并補充說，這種可調整的能力讓Globalfoundries能在先進節點跨足以往采用eFlash的領域，也可以調整其速度，使其得以作為非揮發性快取，用于伺服器處理器與儲存控制器中。
3.西部數據推出業界首創 96 層 3D NAND 技術
儲存技術和解決方案供應商 Western Digital 公司宣布成功開發出 96 層垂直儲存的跨世代 3D NAND 技術 BiCS4，預計 2017 年下半年開始向 OEM 廠商送樣，并于 2018 年開始生產。BiCS4 是由 Western Digital 與其技術及制造合作伙伴東芝（Toshiba Corporation） 聯合開發，最初將提供 256-gigabit 晶片，日后將會擴充其他容量，包括可達 1-terabit 的單一晶片。
Western Digital 記憶體技術執行副總裁 Siva Sivaram 博士表示：“我們成功開發出業界首創的 96 層 3D NAND 技術，驗證 Western Digital 在技術藍圖研發的執行能力。BiCS4 可采用 3-bits-per-cell 與 4-bits-per-cell 兩種架構，同時具備多種技術和制造方面的創新，以具吸引力的成本提供顧客最高的 3D NAND 儲存容量、效能與可靠度。Western Digital 的 3D NAND 產品組合是專為各種終端市場所設計，范圍涵蓋消費者、行動裝置、運算裝置和資料中心。”
Western Digital 也強調其位于日本的合資制造工廠業務持續表現強勁，預計 2017 年公司整體 3D NAND 供貨量，將有 75% 以上來自 64 層 3D NAND（BICS3）技術的產品組合。而 2017 年 Western Digital 與其合作伙伴東芝生產的 64 層 3D NAND 總產量，將遠高于業界任何一家供應商。technews
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