Diodes 的 ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 提供先進的FET 保護功能，擁有更高的性能和更低的工作電流
ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 是主要針對衛星低噪聲塊（LNB）的低功耗、可編程耗盡型 FET 偏置控制器。 這些器件旨在提供系統靈活性，可以編程為偏置最多四個（ZABG4003）或六個（ZABG6003 / ZABG6004）低噪聲放大器（LNA）級。 這些偏置控制器最小工作電流僅為 1 mA，可在 2.1 V 至 5.5 V 供電電壓下工作，是低功耗設計的理想選擇。 小封裝和減少的元件數最大程度減小化了 PCB 面積，同時提高了整體 LNB 可靠性。
產品特性如下:
可編程 GaAs FET LNA
為 GaAs 和 HEMT FET LNA 提供高達四個或六個獨立偏置級
用于 LNA 和有源混頻器的獨立用戶可編程漏電流
低電流工作、寬供電和溫度范圍
在 -40°C 至 +105°C 溫度范圍內使用 2.1 V 至 5.5 V 電源軌工作
專為 3 V / 3.3 V / 5 V 低功耗 LNB 設計
允許關閉 FET 對，以實現智能 LNB 系統
小而靈活的解決方案
最小的應用電路，同時能夠實現系統靈活性
封裝在小型 3 mm x 3 mm QFN 封裝中，用于最小的 PCB 空間（標準 QSOP20）
應用如下:
雙核、四核和美國市場 LNB
PMR
微波鏈路
一般高頻通信
