產品種類: 整流器
制造商: STMicroelectronics
RoHS:
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3 FP
Vr - 反向電壓: 200 V
If - 正向電流: 20 A
類型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Common Cathode
Vf - 正向電壓: 1.25 V at 20 A
最大浪涌電流: 90 A
Ir - 反向電流: 10 uA
恢復時間: 27 ns
最大工作溫度: + 175 C
系列: STTH2002C
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
高度: 9.3 mm (Max)
長度: 10.4 mm (Max)
Pd-功率耗散: -
產品: Rectifiers
工廠包裝數量: 1000
端接類型: Through Hole
寬度: 4.6 mm (Max)
單位重量: 2.300 g

STTH2002CFP只做進口原裝正品假一罰十

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近日，北京大學信息科學技術學院、固態量子器件北京市重點實驗

室“千人計劃”教授徐洪起課題組，與中國科學院半導體研究所、

半導體超晶格國家重點實驗室趙建華研究員課題組合作，首次采用

砷化銦(InAs)納米線制備出具有高可調性的半導體耦合三量子點量

子器件，并對器件的電子穩態構型、相干輸運和電子在遠距離量子

點之間通過虛態輔助隧穿進行長程交換的物理過程進行了精細測量。

該研究展示了基于半導體納米線的線性三量子點體系可被用為通用

量子器件平臺，以及構筑具有長相干時間、全電學調控的自旋量子

比特器件和量子計算芯片的潛力。

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半導體InAs材料具有較高的電子遷移率、較小的電子有效質量、較

大的朗德因子和較強的自旋-軌道耦合。在本研究中，聯合課題組采

用先進局域底指柵陣列技術，在單根單晶純相InAs納米線上構造出

串聯耦合的三量子點結構，其中限制量子點的局域勢壘、量子點中

的電化學勢、量子點之間的隧穿耦合強度均可被獨立調控;量子點輸

運性質的測量和調控是在超低溫稀釋制冷機環境下完成的。該工作

是首次在半導體InAs納米線三量子點器件中，以精細柵調控技術實

現以能量簡并四重點為標志的三量子點相干共振耦合。研究還通過

電子相干輸運測量證實，在中間的量子點處于庫侖阻塞狀態時，被

中間量子點隔開的兩端量子點之間依然可通過共隧穿實現相干強耦

合，其單電子能夠在遠端兩個量子點之間進行長程相干交換，從而

展現超交換相互作用的物理過程。

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