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ACPL-P314

發布時間:2017/7/9 20:50:00 訪問次數:510 發布企業:瀚佳科技(深圳)有限公司

ACPL-P314 PDF資料

數據列表 ACPL-P314/W314;

標準包裝 100
包裝 管件
類別 隔離器
產品族 隔離器 - 柵極驅動器
系列 -
其它名稱 516-2627-5
ACPL-P314-000E-ND
ACPLP314000E


技術 光學耦合
通道數 1
電壓 - 隔離 3750Vrms
共模瞬態抗擾度(最小值) 25kV/μs
傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值) 700ns,700ns
脈寬失真(最大) -
上升/下降時間(典型值) 50ns,50ns
電流 - 輸出高,低 400mA,400mA
電流 - 峰值輸出 600mA
電壓 - 正向(Vf)(典型值) 1.5V
電流 - DC 正向(If) 25mA
電壓 - 電源 10 V ~ 30 V
工作溫度 -40°C ~ 100°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-SOIC(0.268",6.80mm 寬)
供應商器件封裝 6-SO
認可 CSA,UR


近日,采用三星10nm工藝制造的高通驍龍835跑分遭到曝光。就在一

天后,采用臺積電10nm工藝制造的華為麒麟970也遭到媒體曝光。此

前,英特爾宣稱,將于2018年發布采用自家10nm工藝制造的移動芯片,

格羅方德也聲稱自研10nm工藝。

ACPL-P345/W345原盤環保進口

TSM-105-01-L-DV原盤環保進口

ACPL-P343-000E原盤環保進口

四家芯片巨頭紛紛進入10nm芯片領域,預示著芯片界的競爭程度提升到

新等級。那么,芯片界的這場“戰爭”會結束嗎,芯片的未來又在哪里呢?

芯片集成度仍將持續提高

1995年起,芯片制造工藝從0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.18μm、

0.15μm、0.13μm,發展到90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、

16nm、14nm,再到即將到來的10nm,芯片的制程工藝不斷發展,

集成度不斷提高,這一趨勢還將持續下去。

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ACPL-P343-000E原盤環保進口

2016年12月8日,臺積電聲稱,將在2017年初開始7nm的設計定案,

并在2018年初量產,對5nm、3nm和2nm工藝的相關投資工作也已開

始。此前,三星購買了ASML的NXE3400光刻機,為生產7nm芯片作準

備,并計劃在2018年上半年實現量產。

雖然在硅晶體管的尺寸縮小到一定程度時會產生量子效應,導致晶體管

的特性難以控制。不過,短期內,縮減制程尺寸,提高芯片集成度仍是

芯片廠商推動芯片向前發展的方向,7nm、5nm、3nm、2nm工藝將

一步步加劇芯片廠商之間的競爭。

新技術將得到應用

除了FinFIT技術外,三星、英特爾等芯片廠商近些年紛紛投入到FD-SOI

(全耗盡絕緣體硅)工藝、硅光子技術、3D堆疊技術等的研究中,以求突

破FinFET的制造極限,擁有更多的主動權。各種新技術中,猶以3D堆疊

技術為研究重點。

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3D堆疊技術通過在存儲層上疊加邏輯層,將芯片的結構由平面型升級成

立體型,大大縮短互連線長度,使得數據傳輸更快,所受干擾更小。

10nm芯片后 “芯”的戰爭還得這樣繼續下去

目前,這樣的3D技術在理論層面已有較大進展,并在實踐中得到初步應

用。2013年,三星推出了3D圓柱形電荷捕獲型柵極存儲單元結構技術,

垂直堆疊可達24層。同年,臺積電與Cadence合作開發出了3D-IC的參考

流程。2015年,英特爾和美光合作推出了3D XPoint技術,使用該技術的

存儲芯片目前已經量產。

新技術的誕生,為當下芯片開辟了全新的發展領域,這也勢必加劇芯片廠

商的競爭程度。

新材料將進入芯片領域

目前,制造芯片的原材料以硅為主。不過,硅的物理特性限制了芯片的發

展空間。2015年4月,英特爾宣布,在達到7nm工藝之后將不再使用硅材料。

III-V族化合物、石墨烯等新材料為突破硅基芯片的瓶頸提供了可能,成為

眾多芯片企業研究的焦點,尤其是石墨烯。

相比硅基芯片,石墨烯芯片擁有極高的載流子速度、優異的等比縮小特性

等優勢。IBM表示,石墨烯中的電子遷移速度是硅材料的10倍,石墨烯芯片

的主頻在理論上可達300GHz,而散熱量和功耗卻遠低于硅基芯片。麻省理

工學院的研究發現,石墨烯可使芯片的運行速率提升百萬倍。

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制約石墨烯芯片的最大因素是石墨烯的成本問題,不過隨著制作工藝已逐

漸成熟,石墨烯的成本呈下降趨勢,石墨烯芯片量產的日子也不會太遠。

2011年底,寧波墨西科技建成年產300噸的石墨烯生產線,每克石墨烯

銷售價格只要1元。2016年4月,華訊方舟做出了石墨烯太赫茲芯片。

新材料為芯片的發展提供了全新的方向,具有極大的潛力,已成為芯片廠

商把控未來趨勢、占領制高點的必爭領域,而這也將使得芯片廠商之間的

競爭日益復雜。

從芯片誕生至今,芯片領域的創新從未停止,各廠商之間的競爭也從未停歇。

應變硅技術成就了90nm時代,一種柵介質新材料成就了45nm時代,三柵

極晶體管成就了22nm時代,FinFET技術成就了當下的芯片時代。

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