IR2104S是高電壓、高速度力量

MOSFET和IGBT驅動和依賴高和低

引用輸出通道。專有HVIC和

門閂免疫CMOS技術使加固的

整體結構。邏輯輸入與標準CMOS兼容或LSTTL輸出,降至3.3 v邏輯。

輸出驅動特性高脈沖電流緩沖階段為最低司機cross-conduction而設計的。的

浮動通道可用于驅動一個n溝道功率MOSFET和IGBT在高壓側配置

從10到600伏特。

IR2104S特性

•浮動通道為引導操作而設計的

完全操作+ 600 v

寬容-瞬態電壓

dV / dt免疫

•門驅動供應范圍從10到20 v

•欠壓鎖定

•3.3 v,5 v和15 v輸入邏輯兼容

•Cross-conduction預防邏輯

•內部設置停歇時間

•高邊輸出與輸入階段

•輸入關閉通道關閉

•匹配渠道傳播延遲

•還提供無鉛