IRF640NPBF
制造商:
International Rectifier
說明：
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
制造商:International Rectifier
產品種類:MOSFET
RoHS:詳細信息
Id-連續漏極電流:18 A
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Rds On-漏源導通電阻:150 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
Qg-柵極電荷:44.7 nC
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:150 W
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
封裝:Tube
商標:International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:5.5 ns
正向跨導 - 最小值:6.8 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:19 ns
工廠包裝數量:50
典型關閉延遲時間:23 ns