LSM6DS3TR 資料
數據列表
LSM6DS3 Datasheet;
標準包裝
5,000
類別
傳感器，變送器
產品族
運動傳感器 - IMU（慣性測量裝置）
系列
iNEMO
其它名稱
497-15383-2
傳感器類型
加速計，陀螺儀，3 軸
輸出類型
I2C，SPI
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
在極大規模集成電路制造裝備及成套工藝專項(簡稱“集成電路專項”)以
及其他國家相關產業政策的推動下，近年來我國半導體設備產業取得較快
進步，部分關鍵設備從無到有，實現了與國際先進技術水平的同步發展。
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同時，部分國產設備進入大生產線，在產業化進程上取得突破。在此情況
下，如何讓產品在推向市場的過程中獲得合理的利潤，以利持續發展，成
為國產設備廠商關注的重點。
中國半導體行業要想實現從跟隨到引領的跨越，設備產業的成長是重
要環節之一。但是半導體設備行業卻存在技術難度大，進入門檻高的
特點。目前為止，我國半導體設備領域仍然存在著國產化率較低的問題。
對此，半導體專家莫大康指出，上世紀80年代末期開始，半導體設備
企業開始把工藝能力整合在設備中，讓用戶買到設備就能保證使用，
并且達到工藝要求。因此有“一代器件，一代設備”之說。這是半導
體設備如此昂貴的原因，也是國內企業面對的極大挑戰。
此外，一臺設備從研發、樣機開始，必須經過大量硅片通過等工藝試
驗，才能發現問題，并進行改型。這樣的過程要重復多次，改型多次
后才能最后定型。另外，出廠前還要經過馬拉松試驗，測算平均無故
障時間等。
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這對實力尚弱的國產設備廠商來說，也是一個巨大的挑戰。
SEMI中國區總裁居龍也表示：“目前中國設備正在取得從0到1的突
破，但是要認識到這一進程的長期性。”
《中國制造2025》對于半導體設備國產化提出了明確要求：在2020
年之前，90～32納米工藝設備國產化率達到50%，實現90納米光刻
機國產化，封測關鍵設備國產化率達到50%。在2025年之前，20～14
“集成電路專項”加速產業整體布局
盡管存在挑戰，經過多年來的不斷培育，特別是在國家“02專項”
等政策的扶持下，國產半導體設備產業還是取得了一定進步。日前，
科技部會同北京市和上海市人民政府組織召開了國家科技重大專項
“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”成果發布會。在過去的
九年里，集成電路專項對中國半導體設備產業整體布局，既有全面
填空，又有重點突破。
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根據成果發布，北方華創通過近九年的科技攻關，完成了刻蝕機、
磁控濺射、氧化爐、低壓化學氣相沉積、清洗機、原子層沉積等集
成電路設備90/55/40/28納米工藝驗證，實現了產業化。公司的刻
蝕機等三大類集成電路設備進入14納米工藝驗證階段，首次實現與
國外設備同步驗證。在集成電路專項的支持下，12英寸集成電路
設備實現從無到有，并實現批量銷售，成為公司的主要收入來源
之一。中微半導體先后承擔并圓滿完成65～45納米、32～22納
米、22～14納米等三項等離子介質刻蝕設備產品研制和產業化的
集成電路專項任務，使我國在該項設備領域中的技術基本保持了
與國際先進水平同步。中微半導體已經有460多個介質刻蝕反應
臺在海內外27條生產線上高質穩定地生產了4000多萬片晶圓。
根據中科院微電子所所長葉甜春的介紹，在關鍵裝備和材料方面，
我國實現了從無到有的跨越，大部分產品水平達到28納米，部分
產品進入14納米，被國外生產線采用;國產設備驗證和應用整體累
積流片突破150萬片，銷售數量超過265臺。從工藝分布上看，國
產設備橫跨了12英寸集成電路生產線90～14納米各個技術節點的
關鍵性工藝大類，并基本與國內14nm先進工藝研發同步進行驗證。
用產品差異化取代低價競爭
在產業化進程取得一定突破的情況下，如何讓發展來之不易的國產
半導體設備業得到持續發展，逐漸成為國產設備業關注的重點。
其中，最核心的一個問題就是產品的價格問題。目前，國內半導體
設備廠商存在低價競爭的狀況，一些用戶企業在面對國產設備廠商
時，也會盡量壓低價格，國產設備仿佛給人留下的印象就是低價。
對此，盛美半導體董事長兼CEO王暉指出，半導體設備制造是一個
門檻很高的行業，不僅技術高度密集，廠商需要掌握嚴密的IP，而
且產品售出之后還有大量后續服務需要做好。
如果售價被壓得過低，勢必會大幅壓低設備企業的利潤空間。短期
內用戶企業雖然可能獲利，但是勢必會影響到后續服務的進行。而
且，設備行業的競爭十分激烈，企業必須保證對每一代技術的持續
跟進，才能保持技術的領先性。這就需要企業持續進行投入。然而，
如果獲利過低，將導致企業無力跟進技術的進步。
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