制造商:
International Rectifier
說明：
MOSFET 1 P-CH -40V HEXFET 15mOhms 73nC
制造商:International Rectifier
產品種類:MOSFET
RoHS:詳細信息
Id-連續漏極電流:- 10.5 A
Vds-漏源極擊穿電壓:- 40 V
Rds On-漏源導通電阻:25 mOhms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:- 3 V
Qg-柵極電荷:73 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOIC-8
封裝:Tube
商標:International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Single Quad Drain Triple Source
下降時間:97 ns
正向跨導-最小值:17 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:490 ns
工廠包裝數量:95
典型關閉延遲時間:210 ns
