優勢供應芯聯系列產品：CL1570CS CL1570EDDCL1570ESDCL6807 CL6808 CL1570KSD CL1570CSD CL1221 CL1226 CL3506CL1553 CL1570KSD CL1570EDK CL1570ESK CL5183OP CL5184等更多型號，歡迎咨詢0755-83259945陳小姐。
CL6808是一款高側電流感應的高亮度LED驅動控制器，設計運用于高效驅動由高于LED正向導通電壓的電源供電的單個或多個串聯LED。該裝置的運作是在8V到40V之間，提供了一個外部可調的高達1.5A的輸出電流。根據電力供應的電壓和外部元件，可以提供高達32瓦的輸出功率。
CL6808包括輸出開關和一個高側的輸出電流傳感電路, 可利用外部電阻器來設定的平均輸出電流或由精心設計的直流電壓或PWM信號來加載ADJ腳來調節輸出電流。在ADJ腳上加低于0.4V的電壓將關斷輸出電流和開關動作，使該芯片進入低功耗待機狀態。
CL6808的封裝為SOT89-5。
特點：
◆ 極少的外圍器件數
◆ 寬輸入電壓范圍：8V至40V
◆ 高達1.5A的輸出電流
◆ 開關控制及亮度的直流電壓控制和PWM控制由單腳實現
◆ 輸出電流準確性可達5％
◆ 內建的LED開路保護
◆ 高達95％的效率
◆ 高側電流感應
◆遲滯控制；無需補償
應用：
◆ LED替換低壓鹵素燈應用
◆ 汽車照明
◆ 低壓照明工業
◆ LED后備照明
◆ 發亮標志
◆ 緊急照明系統
◆ 液晶電視背光
目前，全球DRAM絕大部分市場份額掌握在三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和美光(Micron)手中，總占比約97%。因工藝制程轉進不順以及巨頭將資本轉向NAND Flash，自2016年開始DRAM產能就出現了短缺，進而導致DRAM全年的漲勢。
2017年，在DRAM價格持續上揚的大趨勢下，終端廠商也將面臨更大的生存挑戰。而在技術規格上，出于漲價帶來的成本結構的考量，LPDDR3仍將主宰中低端市場，而性能和功耗更優的LPDDR4(X)將在高端市場成為主導，不過難在容量上面迅速增量。
制程開進18nm困難重重 成DRAM缺貨主要誘因
2017年電子元器件的缺貨成為常態，其中又以NAND Flash和DRAM的缺貨最為明顯。NAND Flash缺貨是因為2D轉3D良率不及預期且2D備貨不足導致，那么DRAM缺貨原因有哪些?
集邦科技記憶體儲存事業部研究協理郭祚榮
集邦科技記憶體儲存事業部研究協理郭祚榮表示缺貨是DRAM資本減持和新制程轉進良率不高兩大原因造成。由于今年DRAM巨頭的資本支出多轉向3D NAND Flash，從而導致DRAM產能并無明顯增加，加上DRAM工藝制程轉進1Xnm后良率提升不易，在各廠無重大產能開出的情況下，全年度DRAM價格均將維持上升格局。
業內人士知曉，當DRAM制程轉進至20nm以下時，原廠在設計、生產的難度上都會大幅增加，目前三星、美光分別在18nm和17nm上出現了質量問題。從今年Q1中開始，三星18nm標準型DRAM由于先進制程的設計難度大，導致良率不高而影響了出貨，而美光的17nm產品在客戶的樣品測試中也不順利，原定于Q2量產的目標亦難實現。
盡管困難重重，但三星今年的目標仍專注于18nm制程的轉進，力爭年底最先進制程的產出達到40%以上;SK海力士的目標仍著重于21nm的良率提升并擴大該制程占比，18nm制程將于今年下半年開始試產、明年上半年大幅量產;美光已在今年初將17nm制程導入量產階段，爭取年底大部分產能轉進新制程。
缺貨的原因除了1Xnm新制程良率不及預期外，還有智能手機(主要指國產手機)出貨量的提升以及智能手機對DRAM容量需求的提升。某行業資深人士做了詳細的分析：
首先，在智能手機的出貨量方面，去年Q4和今年春節期間有明顯增長，尤其OPPO、VIVO、華為三大廠商的訂單猛增，這是對DRAM整體需求的一大利好。其次，在DRAM容量需求方面，2015年2GB和3GB是智能手機DRAM的主流選擇，但到了2016年，2000元以上的Android手機的最低容量選擇為4GB，3000元以上的手機則采用了6GB甚至8GB，手機量的增長和DRAM容量的提升，共同影響了DRAM的供求狀態。
不過，他表示從2016年底開始，缺貨已經逐漸得到緩解，直到2017年上半年，DRAM庫存已經開始供過于求，缺貨并不十分明顯了。原因在于，一是2017年Q2是傳統手機的出貨淡季，手機銷量無明顯增加(有數據顯示2017 Q2手機出貨量較去年Q4衰退23%)。二是旗艦機對DRAM的容量需求也無明顯增加，如2016年OPPO發布的R9采用了6GB，2017年小米6同樣采用的是6GB。這些因素讓DRAM缺貨及漲價態勢得到了抑制。
Q2手機市場偏淡致使DRAM需求疲弱，價格可能還有回還的趨勢，這與集邦科技發布的一則信息吻合。從需求端看，4、5月正值所有終端產品需求偏弱的期間，主要因為第一季來自中國春節的需求剛過，而第三季末的返校潮、第四季的節慶備貨需求還尚未來臨，所以整體DRAM需求有稍微放緩的跡象。受此影響，在價格方面，雖然全年都是上漲趨勢，但Q2 DRAM顆粒的價格已有小幅下滑。主流的LPDDR4顆粒現貨均價已由4月中旬的3.381美元跌至3.316美元，跌幅約1.92%，預估短期內仍將持續微幅下跌態勢。
郭祚榮也表示，目前智能手機用的LPDDR4和LPDDR3的市場缺口正漸漸恢復平衡，下半年持平或是小幅上漲的可能性更高。他強調，DRAM現貨市場占全球市場不到10%，其價格下跌不代表整體市場，合約價才是引領DRAM市場趨勢的價格導向。
2017年Q2內存價格上揚的趨勢仍未改變，只是上漲的幅度減小了。在中國智能手機的出貨旺季到來之前，預計Q2移動端DRAM漲幅僅約5%以下，而其中中端產品應用廣泛的eMCP(DRAM+NAND Flash集成)產品因NAND Flash同時缺貨的緣故漲幅約達5%。整體而言，DRAM缺貨在Q2的手機淡季得到了緩解，但全年整體缺貨趨勢上揚，產業鏈仍將面臨不小的壓力。（責編：振鵬）
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