擴充了其超高能效、低電壓系列 MOSFET 產品，為其現有的產品線新增 30 V、40 V 和 60 V 器件。 所有這些器件均提供超緊湊的 TSON Advance、SOP Advance 和 TO-220/TO-220-SIS 封裝選擇，可實現低導通電阻、低 QOSS，進而提升基站、服務器或工業設備中開關模式電源的能效。


這些 N 溝道 MOSFET 包括了 30 V、40 V 和 60 V 器件，基于 Toshiba 的下一代 U-MOS IX-H 溝槽式半導體工藝。 這種工藝旨在通過降低導通電阻 (RDS(ON))，以及通過減小輸出電荷 (QOSS) 提升開關效率，最終實現在各種各樣的負載條件下擁有業內一流的能效。


MOSFET 有助于設計人員減少各種電源管理電路的損耗和板空間，包括 DC-DC 轉換中的低壓側開關電路及 AC-DC 設計中的次級側同步整流電路。 這些技術也非常適合用于電機控制，以及基于鋰離子 (Li-ion) 電池的電子設備中保護電路。


特性 與應用如下:
低漏源導通電阻
低輸出電荷（漏源電容電荷）
TSON Advance 封裝 (3.3 x 3.3 x 0.85 mm)
SOP Advance 封裝 (5 x 6 x 0.95 mm)
TO-220/TO-220SIS 封裝 (10 x 15 x 4.45 mm)
服務器和基站電源
高能效 DC-DC 轉換器
開關穩壓器