BP3309是一款單級、帶有源功率因數校正的高精度原邊反饋LED恒流控制芯片，適用于85Vac-265Vac全范圍輸入電壓的反激式隔離或升降壓型非隔離LED恒流電源。BP3309集成有源功率因數校正電路，可以實現很高的功率因數和很低的總諧波失真。由于工作在電感電流臨界連續模式，功率MOS管處于零電流開通狀態，開關損耗得以減小，同時變壓器的利用率也較高。

BP3309采用專有的電流采樣機制，工作于原邊反饋模式，無需次級反饋電路，即可實現高精度輸出恒流控制，極大的節約了系統成本和體積，提高了系統的可靠性。芯片采用了專利的源極驅動技術和內部快速充電電路，可以實現較低的原邊驅動損耗，超快速的系統上電和LED啟動。

BP3309采用專利的線電壓和負載補償技術，可以達到優異的線電壓調整率和負載調整率。線電壓補償系數還可以通過外部元件靈活調整。

BP3309內置多重保護功能來加強系統可靠性，包括LED開路保護、LED短路保護、芯片供電過壓和欠壓保護、電流采樣電阻開路和短路保護、以及逐周期限流等。所有的保護都具有自動重啟功能。

BP3309采用SOP-8封裝

特點：

 單級、有源功率因數校正，高PF值，低THD

 原邊反饋恒流控制，無需次級反饋電路

 超快LED 啟動( <200ms @85Vac)

 ±3% LED 輸出電流精度

 優異的線電壓調整率和負載調整率

 電感電流臨界連續模式

 源極驅動方式

 超低 (20uA) 啟動電流

 超低 (600uA) 工作電流

 FB反饋電阻值高，功耗低

 LED短路/開路保護

 電流采樣電阻短路/開路保護

 變壓器飽和保護

 逐周期原邊電流限置

 芯片供電過壓/欠壓保護

 自動重啟功能

應用：

 GU10/E27 LED球泡燈、射燈

 LED PAR30、PAR38燈

 LED 日光燈

 其它LED照明

臺積電優化16nm制程推出的12nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程，第四季全面進入量產，包括NVIDIA新一代Volta圖形芯片及Xavier超級計算機芯片、華為旗下海思Miami手機芯片、聯發科Helio P30手機芯片等大單全數到位。

蘋果今年兩款應用處理器都采用臺積電10nm制程量產，第一款A10X處理器已經在4月量產并且在6月放量出貨，蘋果新一代10.5寸及12.9寸iPad Pro平板電腦，就搭載A10X六核處理器。 至于蘋果新款iPhone將搭載的A11應用處理器，已自6月開始在臺積電以10nm進入量產。

另外，聯發科雖然減少了交由臺積電代工的Helio X30手機芯片投片量，但華為旗下海思卻在下半年提高了10nm投片，海思研發代號為Boston的10nm手機芯片（麒麟970）已經增加對臺積電投片量，預期第四季開始放量出貨，并將搭載在華為10月中旬推出的旗艦機Mate 10。

臺積電看好下半年的營運成長動能，除了10nm產能快速拉升外，另一重頭戲就是12納米FinFET制程將在第四季進入量產，除了蘋果將以12nm完成新款處理器的設計定案（tape-out）外，NVIDIA新一代Volta繪圖芯片及Xavier超級計算機處理器、聯發科及海思的手機芯片等，都在第四季采用12nm制程量產投片。

臺積電共同CEO魏哲家在日前發布會中提及，由于采用12nm的客戶所采用的IP生態系統，幾乎與16nm制程相同，所以客戶可以用更低的研發成本來利用12nm投片。 而與16nm精簡型鰭式場效晶體管（16FFC）制程相較，12nm在同一功耗下可提升10％效能，或在同一效能下降低25％功耗。

NVIDIA在第三季已經針對12納米Volta繪圖芯片進行小量投片，第四季將放大投片量，以因應來自數據中心、自駕車、電競等市場強勁需求。 同時，NVIDIA針對人工智能及自駕車打造的Xavier超級計算機芯片，也將在第四季在臺積電以12nm量產。

聯發科針對中端智能手機市場打造的新款Helio P30芯片，也完成設計定案，第四季將委由臺積電以12nm量產，而Helio P30被聯發科視為是提振毛利率及自高通手中搶回市場份額的重要武器。 至于華為旗下海思也已完成新款12nm手機芯片設計定案，新芯片研發代號為Miami，將在第四季量產投片，明年會應用在華為的中端手機。

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