1SV285 資料

制造商 Toshiba
數據列表 1SV285
標準包裝 4,000
包裝 標準卷帶
類別 分立半導體產品
產品族 二極管 - 可變電容（變容器，可變電抗器）
庫存 34500
其它名稱 1SV285 (TH3,F)
不同 Vr，F 時的電容 2.35pF @ 4V，1MHz
電容比 2.3
電容比條件 C1/C4
電壓 - 峰值反向（最大值） 10V
二極管類型 單一
不同 Vr，F 時的 Q 值 -
工作溫度 125°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SC-79，SOD-523
供應商器件封裝 ESC

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今年大部分資本投資將用于代工廠及閃存制造領域,花費在DRAM制

造領域的資本投資今年將達到最高比率 跟隨今年上半年半導體行業

資本投資數額大增的浪潮,ICinsight也將其2017半導體資本投資預估

額提升到了創紀錄的809億美元,這個數值要比去年的673億上漲了

20%,而此前人們估計的增幅水平僅12%,總額預估僅756億美元.

有一半多點的資本投資將被花費在晶圓代工業務(28%)以及NAND閃

存技術升級(24%)這兩方面.于此同時,DRAM/SRAM業務相關的投資

則相比去年數額提升了53%,成為今年年投資增幅最大的產業塊.經歷去

年第三季度的價格波動風波后,DRAM廠商又開始發力投資.盡管DRAM

方面的大部分投資是用于技術升級,但DRAM廠商之一的SK海利克斯承

認,僅僅對制造技術進行升級已經無法滿足市場需求,還需要開始增加晶

圓投片數(wafer start capacity).

另外一方面,盡管今年DRAM業務的投資增幅巨大,然而這絲毫沒有阻止

人們在閃存業務上的投資熱情,今年預估的投資款規模達到了190億美元,

超過了DRAM的130億美元.總的來看,IC insights認為閃存方面的資本

投資大部分將用于3DNAND制程技術的研發,比如三星平澤新廠的3D

NAND制程推進費用等等. 總體上看,繼去年增幅達到23%之后,今年閃

存部分的資本投資額增幅還將進一步增加到33%.需要注意的是,歷史經

驗上看,存儲廠商過多的投資常常會導致產能過剩以及后續的價格下跌.