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型號：MP2459GJ-Z

封裝：SOT23-6

品牌：MPS

數量：3K/盤

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隨著移動行業向下一代網絡邁進，整個行業將面臨射頻組件匹配，模塊架構和電路設計上的挑戰。

直到早期的LTE網絡部署，射頻系統的設計涉及較少數量的前端組件，也因此相對的簡單與直接。當無線網絡開始升級成LTE-Advanced，射頻前端的設計愈發復雜。與此同時，載波聚合、多輸入多輸出（MIMO）、多樣性接收模塊和包絡跟蹤等各類技術讓4G網絡變得更加高效和穩定。

全球眾多的LTE頻段組合早已增加射頻設計的復雜性。為了支持繁多的頻段與頻段組合，移動設備需要更多的射頻組件。由于智能手機內部設計的局限性，加上手機電源與整體外形設計上的限制，射頻前端需要精心設計才能夠優化設備的整體性能并減少信號的干擾。該設計要避免對手機的工業設計、可靠性和功能性造成任何負面影響，同時需要支持手機的創新特性與功能。

隨著整個行業向LTE-Advanced Pro與5G邁進，射頻前端的設計將變得更為復雜。新的無線網絡需要更多的射頻前端功能，包括高階多輸入多輸出與大規模多輸入多輸出、智能天線系統以及復雜的濾波功能。目前一臺支持雙載波聚合的高端智能手機的射頻前端組件數量已經是一臺標準的3G智能手機的七倍之多，而且這個數量預計會隨著無線網絡升級成LTE-Advanced Pro與5G而翻倍。

恰到好處的設計考量

雖然射頻前端的設計日益復雜，但智能手機的射頻組件靠以下三種方式減少了物理空間的使用：

·縮小面積的半導體工藝：這個工藝的發展讓一些分立組件的體積在過去幾年中大幅度縮小。一反以往，砷化鎵（GaAs）和硅鍺（SiGe）等的新材料的出現已經使功率放大器（PA）的尺寸減小。與此同時，目前的收發器和低噪聲放大器（LNA）的尺寸也因采用28納米及以下的縮小面積的半導體工藝而減少。

·先進的封裝技術：芯片級聲表封裝（Chip-Sized SAW Packaging，CSSP）、裸片級聲表封裝（Die-Sized SAW Packaging，DSSP）、薄膜聲學封裝技術（Thin-Film AcousTIc Packaging，TFAP）、CuFlip以及晶圓級封裝（Wafer-Level Packaging，WLP）等新型封裝技術使許多射頻前端組件，包括濾波器，雙工器和多路復用器，得以大幅度縮小。除了組件級小型化之外，這些技術還在系統級別上，通過減少材料清單和簡化與其他組件（包括天線開關和收發器）的集成，節省了大量成本。

·增加組件的物理集成：Murata，Skyworks，Avago，EPCOS，Qorvo等供應商所推出的集成解決方案不斷地加速主要射頻前端組件，如過濾器，PA，雙工器和交換機的集成和模塊化。這些方案通過集成某些組件于同一封裝來縮小射頻前端的尺寸，對減少總體尺寸至關重要。

物理集成的概念正在通過新的封裝解決方案進一步擴展。其中，與雙工器集成的前端模塊（FEMiD）及與雙工器集成的PA模塊（PAMiD）將各種組件，如PA，開關，發射機的低通濾波器和接收器的SAW濾波器集成到前端模塊。由于各類射頻組件的異構性質和信號干擾，并非所有組件都適合集成，但這些新型集成模塊有助于降低復雜性，并減少使用空間。

此外，瞄準單一市場的入門級智能手機中所采用的分立組件設計與銷售全球的高端智能手機中所采用的射頻前端設計有著非常明確的界線。顯然，后者更高級別的組件集成和精細設計能提供更卓越的性能與表現。多數的大型OEM廠商越來越多地為其旗艦機型采用單一的射頻前端，以降低運營成本并優化用戶體驗。目前受到廣泛采用的是PAMiD。與此同時，OEM廠商也不愿意設計大量瞄準單一市場的智能手機型號。因此，FEMiD的采用讓廠商能針對不同的區域市場設計手機，通過模塊的輕松替換來支持不同頻段組合。