產品種類: 閃存
RoHS: 符合RoHS
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PLCC-32
存儲容量: 4 Mbit
接口類型: Parallel or Serial
存儲類型: NAND
速度: 120 ns
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 3 V
電源電流—最大值: 12 mA
工作溫度范圍: 0 C to + 70 C
系列: SST49LF
庫存：6500
數據總線寬度: 8 bit
高度: 2.84 (Max) mm
長度: 14.05 (Max) mm
最大時鐘頻率: 33 MHz
最大工作溫度: + 70 C
最小工作溫度: 0 C
組織: 4 K B x 128
編程電壓: 3 V to 3.6 V
標準: Not Supported
工廠包裝數量: 30
定時類型: Asynchronous, Synchronous
類型: Boot Block
寬度: 11.51 (Max) mm
瀚佳科技（深圳）有限公司
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星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產。
不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三星的
投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎？
波瀾的背后
據2017年第二季度財報顯示，三星電子營收額高達554.1億美元，同比增長19%，
并且，三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。
有業者分析稱，三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋果等其他電子類產品生產
需求旺盛，同時其競爭對手SK海力士與東芝在第二季度都分別出現了60nm與
56nm制程技術問題，導致市場整體趨向三星電子。
此前不久，三星電子在平澤市建立的NAND晶圓廠已基本完工，有消息稱，目前
月產能8萬片左右，預計一兩年后可達20萬片晶圓。
觀望這一年，三星電子動作不斷，由于去年三星Note7爆炸事件，導致其直接經
濟損失超過200億元，而且受去年Note7爆炸事件以及薩德事件的影響，三星S8
似乎失去了中國的大部分市場。
據消息透漏，三星S8雖然全球銷量已經超過2000萬臺，但是在中國銷量卻只有70
多萬臺，這對于三星來說，無疑是一個噩耗。
從NAND芯片市場來看，西安三星電子位于中國，而中國目前在NAND芯片技術還
不成熟，與國外競爭還得兩三年，但是中國市場對于NAND芯片需求極大，三星不
斷在中國擴廠建廠，其主要是生產低端芯片，以供應中國市場的需求，而三星韓國
的廠主要生產研發高端3D NAND芯片，此次擴大西安三星電子廠，一方面用于生
產3D NAND以備市場之需，另一方面也是迫于西部數據即將收購東芝存儲器的壓
力。
契機在前 威脅在后
8月24日，東芝舉行董事會議，最終與西部數據在內的聯盟簽下協議，定于月底商
議收購事宜。
據2016年第四季度市場數據顯示，三星NAND芯片市場份額為37.1%，而東芝與
西部數據NAND芯片市場份額分別為18.3%和17.7%，如果西部數據一旦收購東芝
存儲器，那么這對于三星霸主的地位可是不小的威脅。
三星作為最早研發3D NAND技術的企業，擁有著成熟的技術與經驗，而隨著3D
NAND優勢逐漸體現，美光、SK海力士、英特爾等企業都開始研發3D NAND技
術，雖然目前市面上還是使用的2D NAND，但實際上去年開始，三星電子的3D
NAND已經開始進入量產階段，由于去年3D NAND良率過低，導致進入市場時
間被推遲了一年，據業者預計，今年年底，3D NAND將會逐漸走入手機市場。
由于目前正處于2D NAND轉3D NANDDE 重要時期，兩者供給量排擠很嚴重，
如果一旦轉型成功，3D NAND將短期處于缺貨狀態。
當然，3D NAND芯片市場發展空間巨大，僅憑三星電子很難吞下這一片市場，
西部數據收購東芝存儲器對于三星電子的壓力可謂巨大，而且即使西部數據收
購成功，轉型融合也需要很長一段時間，這對于三星來說，將是捍衛自己霸主
地位的絕佳機會。
