UCC27517DBVR和 UCC27517DBVR單通道高速低側柵極驅動器器件可有效驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 電源開關。UCC27516 和 UCC27517DBVR采用的設計方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖，同時提供軌到軌驅動能力以及超短的傳播延遲（典型值為 13ns）。
當 VDD = 12V 時，UCC27516 和 UCC27517DBVR 可提供峰值為 4A 的灌/拉（對稱驅動）電流驅動能力。
UCC27516 和 UCC27517DBVR具有 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍，以及 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍。VDD 引腳上的內部欠壓閉鎖 (UVLO) 電路可在超出 VDD 運行范圍時使輸出保持低電平。此器件能夠在低電壓（例如低于 5V）下運行，并且擁有同類產品中較好的開關特性，因此非常適用于驅動諸如 GaN 功率半導體器件等新上市的寬帶隙電源開關器件。
UCC27516 和 UCC27517DBVR特有雙輸入設計，同一器件可靈活實現反相（IN- 引腳）和非反相（IN+ 引腳）配置。IN+ 引腳和 IN- 引腳中的任何一個都可用于控制此驅動器輸出的狀態。未使用的輸入引腳可被用于啟用和禁用功能。出于安全考慮，輸入引腳上的內部上拉和下拉電阻器在輸入引腳處于懸空狀態時，確保輸出被保持在低電平。因此，未使用的輸入引腳不能保留在懸空狀態而必須被適當的偏置，以確保驅動器輸出被使能用于正常運行。
UCC27516 和 UCC27517DBVR 器件的輸入引腳閾值是基于 TTL 和 COMS 兼容低壓邏輯電路的，此邏輯電路是固定的且與 VDD 電源電壓無關。高低閾值間的寬滯后提供了出色的抗擾度。
特性
低成本柵極驅動器器件提供 NPN 和 PNP 離散解決方案的高品質替代產品
4A 峰值拉電流和 4A 峰值灌電流對稱驅動
短暫傳播延遲（典型值 13ns）
短暫上升和下降時間（典型值分別為 9ns 和 7ns）
4.5V 至 18V 單電源范圍
VDD 欠壓閉鎖 (UVLO) 期間輸出保持低電平（確保上電和掉電時無毛刺脈沖運行）
晶體管邏輯 (TTL) 和互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容輸入邏輯閾值（與電源電壓無關）
針對高抗擾度的滯后邏輯閾值
雙輸入設計（可選擇反相（IN- 引腳）或非反相（IN+ 引腳）驅動器配置）
未使用的輸入引腳可用于使能或禁用功能
當輸入引腳懸空時，輸出保持在低電平
輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
-40°C 至 140°C 的運行溫度范圍
5 引腳 DBV (SOT-23) 和 6 引腳 DRS（3mm x
3mm 帶有外露散熱焊盤的晶圓級小外形無引線 (WSON)）封裝選項
應用
開關模式電源
直流-直流轉換器
針對數字電源控制器的伴隨柵極驅動器器件
太陽能、電機控制、不間斷電源 (UPS)
用于新上市的寬帶隙電源器件（例如 GaN）的柵極驅動器
