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LTM4632 - 用于 DDR-QDR4 存儲器的超薄、三路輸出、降壓型 μModule 穩壓器 特點包括VDDQ、VTT、VTTR (或VREF)的完整DDR-QDR4 SRAM電源解決方案
占板面積為0.5cm2(雙面PCB)的解決方案
寬輸入電壓范圍：3.6V至15V
3.3V輸入可兼容連接至INTVCC的VIN
0.6V至2.5V輸出電壓范圍
雙路±3A DC輸出電流(具有提供和吸收能力)
±1.5%、±10mA緩沖VTTR = VDDQ/2輸出
3A VDDQ + 3A VTT或雙相單路6A VTT
在整個負載、電壓和溫度范圍內具有 ±1.5% 的最大總輸出電壓調節誤差
電流模式控制，快速瞬態響應
外部頻率同步
多相可并聯和均流
可選的突發模式 (Burst Mode®) 操作
過壓輸入和過熱保護
電源良好指示器
超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封裝和超薄型 6.25mm x 6.25mm x 2.42mm BGA 封裝
LTM®4632 是一款超薄的三路輸出降壓型 μModule®(電源模塊) 穩壓器，可提供用于 DDR-QDR4 SRAM 的完整電源解決方案。LTM4632 可在一個 3.6V 至 15V 的輸入電壓范圍內運作，支持兩個用于 VDDQ 和 VTT 的 ±3A 輸出電源軌 (兩者均可吸收和提供電流) 和一個 10mA 低噪聲基準 VTTR 輸出。VTT 和 VTTR 皆跟蹤并等于 VDDQ/2。LTM4632 采用 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封裝和超薄型 6.25mm x 6.25mm x 2.42mm BGA 封裝，其內置了開關穩壓器、功率 FET、電感器和支持組件。或者，該電源模塊也可配置為一個兩相單路 ±6A 輸出 VTT。僅需少量的陶瓷輸入和輸出電容器即可構成完整的設計。
LTM4632 支持可選的突發模式操作 (僅限 CH1) 和用于電源軌排序的輸出電壓跟蹤功能。其高開關頻率和電流模式控制實現了針對電壓和負載變化的快速瞬態響應，并且未犧牲穩定性。
故障保護功能包括過壓輸入、過流和過熱保護。
LTM4632可提供符合 SnPb (BGA)或 RoHS 標準引腳涂層的封裝。
DDR 存儲器電源
通用型負載點轉換
電信、網絡和工業設備
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