MRF6S18060N設計用于GSM和GSM邊緣基站應用從1800到2000 MHz的頻率。適用于TDMA,CDMA，和多載波放大。
MRF6S18060N的應用程序•典型的GSM性能:VDD = 26 Vdc,IDQ = 600 mA,Pout = 60瓦CW,f = 1990 MHz功率增加15分貝排水效率- 50%
MRF6S18060N邊緣應用程序•典型的GSM EDGE性能:VDD = 26伏，IDQ = 450 mA，Pout = 25瓦Avg，全頻帶(1805-1880兆赫或)1930 - 1990 MHz)電力增益為15.5 dB光譜再生長@ 400 kHz偏移= -62 dBc光譜再增長@ 600 kHz偏移= -76 dBc維生素與o rms 2%•能夠處理5:1 VSWR，@ 26 Vdc,1990 MHz,60瓦CW輸出功率
特征
具有系列等效大信號阻抗參數的特點
內部匹配，便于使用
•合格最多可達32個VDD操作
•集成ESD保護
•225°C塑料封裝能力
N后綴表示無鉛終止。通過無鉛認證。
在磁帶和卷軸上。R1后綴= 500單位每44毫米，13英寸卷軸。
