MRF6VP2600H典型DVB -T OFDM性能:VDD = 50v,IDQ = 2600 mA，Pout = 125瓦Avg,f = 225 MHz，信道帶寬= 7.61 MHz，輸入信號在CCDF上的概率為9.3 dB @ 0.01%。
MRF6VP2600H能量增益為25 dB排水效率o 28.5%ACPR @ 4 MHz偏移o -61 dBc @ 4 kHz帶寬•典型脈沖性能:VDD = 50伏，IDQ = 2600 mA，撅嘴= 600瓦峰,f = 225 MHz,脈沖寬度= 100μsec,責任
MRF6VP2600H周期= 20%電力增益為25.3 dB排水效率o 59%•能夠處理10:1 VSWR，@ 50 Vdc,225 MHz,600瓦峰值權力、脈沖寬度= 100μsec責任周期= 20%
制造商:
NXP / Freescale
說明：
射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 VHV6 600W 225MHZ NI1230
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
制造商: NXP
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 110 V
技術: Si
增益: 25.3 dB
輸出功率: 600 W at Peak
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: NI-1230
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: NXP / Freescale
配置: Dual
高度: 5.08 mm
長度: 41.28 mm
工作頻率: 500 MHz
系列: MRF6VP2600H
工廠包裝數量: 50
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
寬度: 10.29 mm
單位重量: 13.155 g
特征
具有串聯等效大-信號阻抗參數的特點
·具有足夠冷卻的連續波操作能力
•最多可達50個VDD操作
•集成ESD保護
•設計用于推拉操作
•更大的負門——改善C類的源電壓范圍
操作
•通過無鉛認證
在磁帶和卷軸上。R6后綴= 150單位每56毫米，13英寸卷軸。
