一級代理OC系列產品：OC5011 OC5021OC5010OC5020 OC5028 OC5022 OC5200 OC5331 OC5351 OC4001 OC6700 OC6701 OC6702 OC5806 OC6801 OC5800 OC5801 OC7135 OC7130 OC7131 OC9303 OC9302 OC9300 OC9308 OC9501 OC9508 OC9500等更多型號，歡迎來電咨詢0755-83224649/13714441972陳小姐
OC6701是一款高效率、高精度的升壓型大功率LED 恒流驅動控制芯片。OC6701 內置高精度誤差放大器，固定關斷時間控制電路，恒流驅動電路等，特別適合大功率、多個高亮度LED 燈串恒流驅動。
OC6701 采用固定關斷時間的控制方式，關斷時間可通過外部電容進行調節，工作頻率可根據用戶要求而改變。OC6701 通過調節外置的電流采樣電阻，能控制高亮度LED 燈的驅動電流，使LED 燈亮度達到預期恒定亮度。在EN 端加PWM 信號，還可以進行LED 燈調光。
OC6701 內部集成了VDD 穩壓管，軟啟動以及過溫保護電路，減少外圍元件并提高系統可靠性。OC6701 采用SOP8 封裝。
特點：
1.寬輸入電壓范圍：3.6V~100V
2.高效率：可高達95%
3.最大工作頻率：1MHz
4.CS 限流保護電壓：250mV
5.FB 電流采樣電壓：250mV
6.芯片供電欠壓保護：3.2V
7.關斷時間可調
8.外置頻率補償腳
9.智能過溫保護
10.軟啟動
11.內置VDD 穩壓管
應用領域
1.LED 燈杯
2.電池供電的LED 燈串
3.平板顯示LED 背光
4.大功率LED 照明
升壓恒流:
OC6701 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可3A以內
OC6700 3.2～60V 大于輸入電壓2V以上即可 2A以內
OC6702 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可 1A以內
降壓恒流:
OC5021 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5020 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內
OC5022 3.2～60V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 3A以內
OC5028 3.2～100V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作1.5A以內
OC5011 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5010 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作2A以內
LED DRIVER DC-DC升降壓恒流
OC4001 5～100V 3.2～100V 3A
LED DRIVER DC-DC線性降壓恒流
OC7135 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可固定<400mA
OC7131 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可 可外擴，實際電流決定于MOS管功耗
OC7130 2.5-30V 低于等于輸入電壓即可 實際電流決定于IC整體耗散功率
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：LED遠近光燈專用芯片
OC5200 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內
OC5208 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 1.5A以內
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：多功能LED手電筒專用芯片
OC5351 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5331 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 5A以內
DC-DC降壓恒壓
OC5801 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作 3A以內
OC5800 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作2A以內
根據TrendForce 旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange) 調查，由于DRAM 廠近兩年來產能擴張幅度有限，加上制程轉換的難度，DRAM 供給成長明顯較往年放緩，配合下半年終端市場消費旺季，DRAM 合約價自去年中開啟漲價序幕;但三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻下，可能擴大DRAM 產能，此舉恐將改變DRAM 供給緊俏格局。
DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出，以主流標準型記憶體模組(DDR4 4GB) 合約價為例，從去年中開始起漲，由當時的DDR4 4GB 13 美元均價拉升至今年第4 季合約價30.5 美元，報價連續6 個季度向上，合計漲幅超過130%，帶動相關DRAM 大廠獲利能力大幅提升。
截至目前為止，三星第2 季度DRAM 事業營業利益率來到59%，SK 海力士也有54% 的表現，美光達44%。展望第4 季，DRAM 合約價持續上漲，各家廠商的獲利能力可望繼續攀升。
因DRAM 產業已進入寡占格局，理論上廠商對高獲利的運作模式是樂觀其成，但在連續數季記憶體價格上升的帶動下，SK 海力士、美光都累積許多在手現金。
有了豐沛的資源，SK 海力士將在年底進行18nm 制程轉進，無錫二廠也將在明年興建，預計2019 年產出;美光借著股價水漲船高之際宣布現金增資，代表未來在蓋新廠、擴張產能與制程升級上預做準備，此舉無疑激起三星的警戒心，三星開始思索DRAM 擴產計劃。
三星可能采取的擴產動作，除是因應供給吃緊狀況，最重要的是藉由提高DRAM 產出量，壓抑記憶體價格上漲幅度。雖然短期內的高資本支出將帶來折舊費用的提升，并導致獲利能力下滑，但三星著眼的是長期的產業布局與保有其在DRAM 市場的領先地位，及與其他DRAM 大廠維持1- 2 年以上的技術差距。
此外，明年可說是中國記憶體發展的元年，三星透過壓低DRAM 或是NAND 的價格，將能提升中國競爭者的進入門檻，并使競爭對手虧損擴大、增加發展難度并減緩其開發速度。
DRAMeXchange 指出，三星有意將其平澤廠二樓原定興建NAND 的產線，部分轉往生產DRAM，并全數采用18nm 制程。加上原有Line17 還有部份空間可以擴產，預計三星最多可將2018 年DRAM 產出量達到80-100K，也代表三星的DRAM 產能可能由2017 年底的390K 一口氣逼近至500K 的水準，將帶動三星明年位元產出供給量由原本預估的18% 成長上升至23%。
從整體DRAM 供給來看，2018 年供給年成長率將來到22.5%，高于今年的19.5%，也就是說，明年DRAM 供需缺口將可能被彌平，預期SK 海力士與美光將加入軍備競賽以鞏固市占可能性高，為DRAM 市場增添新的變數。
DRAMeXchange 認為，三星此舉將可能改變DRAM 市場供給緊俏格局，只是修正目前競爭對手的超額利潤，降為較合理獲利結構;隨著大廠將部分投資重心由NAND Flash 轉往DRAM，將可望降低明年NAND Flash 供過于求的情形，進而減緩整體NAND Flash 平均售價(ASP) 下滑的速度。
DRAMeXchange 強調，三星擴廠或許對2018 年DRAM 市場將帶來部分沖擊，但就整體記憶體產業的長期發展來看未必是負面訊息。
公司:深圳市哲瀚電子科技有限公司
聯系人:陳小姐
手機:13714441972
電話:0755-82549527/83259945/13714441972
傳真:0755-83259945
地址:深圳市福田區深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和大廈3C006
