CD4040BE資料
產品種類: 計數器 IC
制造商: Texas Instruments
RoHS: 符合RoHS
計數器類型: Binary
邏輯系列: CD4000
位數: 12 bit
計數順序: Up
工作電源電壓: 3 V to 18 V
工作溫度范圍: - 55 C to + 125 C
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: PDIP-16
庫存： 8600
功能: Counter
最大工作溫度: + 125 C
最小工作溫度: - 55 C
輸出電流: +/- 1.5 mA
工廠包裝數量: 25
單位重量: 1 g
瀚佳科技（深圳）有限公司
聯系人:李先生李小姐（只售原裝現貨）
電話:0755-23140719/15323480719
QQ3441530696/3449124707
地址:深圳市福田區振華路中航苑鼎城大廈1607室
供應CD4040BE原裝絕對房間現貨/可出樣品
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三星壟斷走開!中國怒砸180億造內存 這一年多來內存價格的瘋漲讓太多人感到心痛， 而問題的根源在于DRAM內存顆粒掌握在韓國 三星、SK海力士和美國美光等極少數巨頭手中， 合計份額超過90%，很容易形成壟斷，下游和 市場完全沒有任何周旋余地。 如今，中國正在各個半導體領域切入自己的力 量， 破除國外壟斷，包括CPU微處理器、NAND閃 存、OLED屏幕面板等等，DRAM內存也是時 候了。 中國芯片設計公司兆易創新近日發布公告，宣 布與合肥市產業投資控股(集團)有限公司(簡稱 合肥產投)于10月26日簽署了《關于存儲器研 發項目之合作協議》。 雙方約定，將在安徽省合肥市經濟技術開發區 合作開展300mm晶圓(12英寸)、19nm工藝 存儲器的研發項目，包括DRAM內存顆粒。 項目總預算約為180億元人民幣，兆易創新與 合肥產投按照1:4的比例負責籌集。 合作目標是在2018年12月31日前研發成功， 實現產品良率(測試電性良好的晶片占整個晶 圓的比例)不低于10%。 不過兆易創新強調，本項目研發階段設計產 能較小，為2000-3000片晶圓每月，尚無法 達到批量生產標準，而且中國大陸目前無DR AM產業技術積累，再加上人才引進、知識產 權和設備進口等因素影響，研發能否成功存在 不確定性。 即使研發成功，良率能否提升、量產能否實現， 也仍然存在較大不確定性，從研發成功至量產 并形成銷售需要長達幾年時間。 研發成功后，雙方將就提升良率、擴大產能進 行進一步探討。 目前，三星DRAM已大規模采用20nm工藝， 并率先量產18nm工藝。SK海力士則以25nm 工藝為主，已導入21nm工藝。美光目前以30 nm工藝為主，20nm工藝進入良率提升階段。
