BP2836D性能：（非隔離降壓方案最大可做40W，內置4A MOS，是BP2833D（內置2A MOS）的加強版）
1.無需輔助繞組檢測和供電，只需要很少的外圍元件
2.芯片工作在電感電流臨界模式，輸出電流不隨電感量和LED工作電壓的變化而變化。效率更高。
3.BP2836D 具有多重保護功能，包括LED 開路/短路保護，CS電阻短路保護，欠壓保護，芯片溫度過熱調節等
4.芯片外部一個電阻即可設定開路保護電壓值，方便簡潔可靠。
5.BP2836D 芯片內部集成500V功率MOS管
6.BP2836D 采用DIP-8 封裝（PIN-PIN BP2833D）
優勢推廣更多型號：BP3315,BP3319M，BP3123,BP3125,BP3126,BP3133,BP3315,BP2832,BP2831A,BP2812,BP2822,BP2326,BP2329A,BP3309,BP2833D,OCP8165A,OCP8164B OCP8164A,OCP8162A OCP8161A
國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference, ISSCC)2018年年會將于2018年2月11日至2月15日于美國舊金山舉行。 本次研討會中國(含中國大陸、香港及澳門)共有14篇論文入選，數量僅次于美國、韓國及臺灣，首次超越日本的13篇，躍居全球第四。
2018 ISSCC除傳統芯片發表外，將有11篇人工智能(AI)相關芯片發表，其中另首次有被認為下世代人工智能關鍵技術之智能運算內存芯片發表。 AI所需大數據和云端服務背后需要龐大數據中心進行快速儲存與運算，過去，內存不用運算，但未來人工智能(AI)芯片如何讓內存同步處理儲存和運算，成為下世代人工智能兵家必爭戰場。
AI所需大數據和云端服務背后需要龐大數據中心進行快速儲存與運算，昔日多由CPU運算，內存處理儲存而不用運算，但未來AI芯片如何讓內存同步處理儲存和運算，成為下世代人工智能兵家必爭戰場。 2018 ISSCC將有5篇智能內存內運算電路芯片發表，包含美國伯克利大學、美國斯坦福大學、美國伊利諾大學各一篇與臺灣清華大學2篇論文。
ISSCC 2018獲選的論文，來自臺灣的研究成果共計16篇論文，學界部分共獲選9篇論文，分別由清華大學獲選4篇論文、交通大學3篇論文、臺灣大學1篇論文與成功大學1篇論文;業界部分共7篇論文獲選，分別為聯發科3篇論文、 臺積電3篇論文、力旺電子1篇論文入選。
國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference，ISSCC)扮演全球先進半導體與固態電路領域研發趨勢的領先指針， 為國際半導體與芯片系統之產學研專家在頂尖技術交流之最佳論壇、亦為國際半導體公司首次發表最新芯片之唯一國際學術研討會，在產學界中具舉足輕重地位，因此亦有芯片(IC)設計領域奧林匹克大會之美稱。
