SI4848DY-T1-GE3最小推薦的pad模式
單mosfet - 8與銅展開(圖1)和
雙mosfet - 8與銅擴展(圖2)顯示
利用該板區域的起點
heat-spreading銅。要創建這個模式，一個平面
銅覆蓋了排水管。銅面連接
SI4848DY-T1-GE3排水管用電，但更重要的是提供
平面銅可以從排水管中吸收熱量，然后開始
SI4848DY-T1-GE3傳播熱量的過程，所以它可以被消散到
環境空氣。這些模式使用所有可用的區域
SI4848DY-T1-GE3為了這個目的，在身體下面。
因為表面裝的包裹很小，而且回流
焊接是最常見的方法
貼在PC板上，“熱”連接從
平板銅到腳墊沒有使用。即使
額外的平面銅區使用，應該沒有
焊接過程中的問題。實際的焊接
連接是由焊接掩模開口定義的。通過
SI4848DY-T1-GE3將基本足跡與銅面結合在一起
引流針，焊錫面具的產生是自動發生的。
最后要記住的是電源的寬度。
絕對最小功率跟蹤寬度必須是
由它必須攜帶的電流的數量決定。為了
熱原因，最小寬度至少應該是
0.020英寸。用寬的痕跡連接下水道
平面提供了一個低阻抗的路徑，以供熱量移動
從設備。SI4848DY-T1-GE3
表面安裝的小腳功率mosfts使用
SI4848DY-T1-GE3集成電路和小信號包
被修改為提供傳熱能力
所需的電力設備。引線框架材料和
設計，成型復合材料，模具附材料
SI4848DY-T1-GE3改變了，而包的足跡仍然存在
相同的。
參見應用程序注釋826，推薦的最小襯墊
為Vishay硅膠繪制輪廓圖的模式
場效應管SI4848DY-T1-GE3
腳墊設計的基礎是小腳的力量
MOSFET。在轉換建議的最小值板
為了獲得功率MOSFET的襯墊，設計師必須制作
兩個連接:一個電連接和一個熱
連接，從包裝中抽出熱量。
在so - 8包的情況下，熱連接
是非常簡單的。引腳5、6、7和8是排水溝
MOSFET用于單個MOSFET包并連接SI4848DY-T1-GE3
在一起。在一個雙包中，引腳5和6是一個排水溝，而且
第7和第8針是另一個排水溝。對于一個小信號裝置
集成電路，典型的連接
寬度為0.020英寸的痕跡。因為排水管是有用的
提供熱連接的附加功能SI4848DY-T1-GE3
對一攬子計劃來說，這種聯系是不夠的。在
銅的總橫截面可攜帶SI4848DY-T1-GE3
應用程序所需的當前數據，但它顯示的是a
大的熱阻。另外，熱量在循環中傳播
時尚來自熱源。在這種情況下，排水管是
當熱量在PC上傳播時熱源
董事會。
