NDC631N/ N溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管
發布時間:2017/11/24 10:19:00 訪問次數:418 發布企業:深圳市晶美隆科技有限公司
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概述
這些N溝道邏輯電平增強型功率場
場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的,
高密度, DMOS技術。這非常高的密度
過程是量身定做,最大限度地減少通態電阻。這些
裝置特別適合于在低壓應用
筆記本電腦,便攜式電話, PCMICA卡,并
其它電池供電的電路,其中快速開關,和低
直列中需要一個非常小的輪廓表面的功率損耗
貼裝封裝。
特點
4.1 A, 20 V ř
DS ( ON)
= 0.06
Ω
@ V
GS
= 4.5 V
R
DS ( ON)
= 0.075
Ω
@ V
GS
=2.7 V.
專有SuperSOT
TM
使用銅-6包裝設計
引線框架為優異的熱和電性能。
高密度電池設計極低R
DS ( ON)
.
呈導通電阻和最大直流電流
能力。