TPS51916RUKR裝置為DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4內存系統提供了一個完整的電源，在最低的總成本和最小的空間。TPS51916RUKR它集成了一個同步的buck調節器控制器(VDDQ)和一個2 - a接收器和2 - a源跟蹤LDO(VTT)和緩沖低噪聲引用(VTTREF)。

TPS51916RUKR設備采用D-CAP™模式加上300 kHz或400 kHz頻率對易用性和快速瞬態響應或D-CAP2™模式加上高500 kHz或670 kHz頻率沒有外部支持陶瓷輸出電容器補償電路。VTTREF跟蹤VDDQ / 2在優秀的0.8%精度。TPS51916RUKR超薄技術,它提供了通透水槽和通透源峰值電流功能,只需要10-μF陶瓷電容。TPS51916RUKR一個專用的LDO供應輸入可用。

TPS51916RUKR該裝置還提供優秀的電源性能。它支持靈活的電源狀態控制，在S3中設置VTT，在S4或S5狀態下卸載VDDQ、VTT和VTTREF(軟關閉)。可編程的OCL與低側MOSFET RDS(on)傳感，OVP,UVP,UVLO和熱關閉保護也可用。

特性TPS51916RUKR

同步降壓控制器(VDDQ)

轉換電壓范圍:3v至28v

輸出電壓范圍:0.7 V到1.8 V

0.8% VREF準確性TPS51916RUKR

可選擇的控制體系結構

D-CAP™模式快速瞬態響應

陶瓷輸出電容器的d - cap2模式

可選擇300 kHz,400 kHz,500 kHz，或670 kHz開關頻率

在輕、重負荷和自動箕斗功能上優化效率

支持S4和S5狀態

OCL / OVP / UVP / UVLO保護

Powergood輸出TPS51916RUKR

通透LDO(國立),緩沖參考(VTTREF)

2- a(峰)匯和源電流

緩沖，低噪音，10 - ma VTTREF輸出

VTTREF,20 - mv VTT精度

支持高z(S3)和軟(S4,S5)

熱關機TPS51916RUKR

20-Pin 3毫米×3毫米,QFN包

創建一個WEBENCH設計

TPS51916RUKR