PT4226 SOP-8 代理 原裝 華潤矽威 LED原邊反饋恒流驅動IC芯片
型號：PT4226
品牌：華潤矽威
封裝：SOP/DIP
批號：16+
數量：90000
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銷售代表：陳小姐
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先前傳出三星電子耍手段拓展晶圓代工市場，打算買斷EUV(極紫外光)設備，讓臺積電(2330)買不到。不過韓國方面的新消息說，三星大買EUV，不只用于晶圓代工，也會用于記憶體，計劃搶先同業，2019年初量產10 納米DRAM。
韓媒BusinessKorea 29日報導，業界人士表示，三星考慮在南韓華城廠增建EUV設備專用的DRAM產線，最快下個月動工，預定2019年啟用，將利用初期10納米技術生產 DRAM，開業界先河。據韓國ETNews報道稱，大韓國華城市(Hwasung)的Line 17工廠，預計投資在2.5萬億到3萬億韓元之間，約合22-26.4億美元。以300mm晶圓計算，擴建之后每月產能將提升3.5萬片晶圓，目前的產能約為4萬片晶圓/月。
目前業者多采用ArF浸潤式制程生產DRAM，縮小線寬有其極限，DRAM制程很難微縮至10納米。EUV有望解決此一問題，實現DRAM的10納米制程。不同于NAND Flash，DRAM一個記憶胞(cell)就有一個電晶體與電容，當制程下到10納米，線寬狹小到難以直接將電容堆疊于上頭，三星利用四重曝光(quadruple patterning technology ,QPT)技術，來改變10納米記憶胞結構，讓電晶體與電容足以有空間做連結。
熟悉三星電子情況的觀察家說，EUV多用于7納米晶圓代工，不過有些可以拿來生產DRAM。問題是10納米晶圓的生產速度較慢，三星能否獲利仍是未知數。預料三星將裝設4~8臺EUV設備。
專家預測，盡管EUV有缺點，三星仍會考慮用EUV生產10納米DRAM，借此拉開和對手差距，維持市場霸主地位。今年第三季，三星在行動裝置和伺服器 DRAM的市占，分別增至58.3%、45.9%。
Nikkei Asian Review、BusinessKorea 5月報導，三星是DRAM龍頭，制程領先對手1~2年，2016年下半首先量產18納米DRAM，計劃今年下半推進至15納米。
三星一馬當先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計劃未來兩三年砸下20億美元，研發13納米DRAM制程。美光在日本廣島廠增設無塵室設備，并購買了多項高價生產儀器。進入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產力將提高20%。美光已于今年第一季量產18納米DRAM。
DRAM 制程轉進為什么變得緩慢?
電容問題，成為DRAM轉進10納米以下制程的技術難點，另一方面，記憶體大廠在先前DRAM大崩盤下咬牙苦撐下來，卻仍舊面臨市況持續不佳的景況，近幾年制程的提升逐漸變得緩慢，也大幅降低投資的比重，當邏輯制程已來到14/16納米，記憶體制程才在20納米，逐步要踏進18/16納米而已，但對橫跨記憶體與晶圓代工的三星而言，即擁有掌握記憶體市場技術轉進的本錢。
三星與臺積電、英特爾之間的邏輯制程競賽，已進入10 納米以下制程爭戰，由于記憶體制程較邏輯制程容易，臺積電、三星通常都以SRAM、DRAM 來練兵，制程的轉進先從記憶體下手，當良率提升到一定程度再導入邏輯產品。
三星在2015 年11 月中即發表10 納米FinFET SRAM，三星在制程技術即領先記憶體群雄，現在DRAM 制程一舉轉進10 納米，借此狠甩對手的意圖不言可喻。
臺積電在2015年年底于供應鏈管理論壇也透露，早已成功以7 納米制程產出SRAM，而且預告供應鏈伙伴可開始準備5 納米，接下來邏輯制程競賽同樣可期，依臺積電與三星先前說法，10 納米制程量產約在2016 年底，英特爾第一顆10 納米CPU 則延至2017 年下半。不只記憶體制程競賽出現大變化，邏輯制程競賽同樣可期。
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