FQPF47P06這些p通道增強模式能量場效應

晶體管是用Fairchild的專有技術生產的，

FQPF47P06平面內縞,DMOS結構技術。

這種先進的技術尤其適合

最大限度地減小對狀態的電阻，提供更好的切換

性能，并能承受較高的能量脈沖

雪崩和交換模式。這些設備

適用于低壓應用，如汽車，

直流/直流轉換器，以及高效率開關電源

可移動和電池操作產品的管理

FQPF47P06特征

•-30年,-60 V,RDS()= 0.026Ω@VGS = -10 V

•低門充電(典型的84 nC)

•低Crss(典型的320 pF)

•快速交換

•100%雪崩測試

•改善dv / dt的能力

•175°C最大結溫評級

FQPF47P06類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET® FQPF47P06

FQPF47P06包裝 管件

零件狀態 在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 30A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 110nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V

Vgs（最大值） ±25V

FET 功能 - FQPF47P06

功率耗散（最大值） 62W（Tc）

不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 26 毫歐 @ 15A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 TO-220F

封裝/外殼 TO-220-3 整包

FQPF47P06