供應FDC642P原裝進口現貨 價格優惠 歡迎采購 長期代理 工廠月結供應商 吳小姐 15914006628 ， 概述 這種P溝道2.5V指定MOSFET產生 采用飛兆半導體先進的PowerTrench過程 特別是針對已最大限度地減少通態 性，但保持低柵極電荷 出色的開關性能。 這些設備旨在提供卓越的 在一個非常小的足跡功耗 應用中，較大的包是不實際的。 特點 • • • • • -4 A ， -20 V. ř DS （ ON） = 0.065 Ω @ V GS = -4.5 V R DS （ ON） = 0.100 Ω @ V GS = -2.5 V 快速開關速度。 低柵極電荷（ 7.2nC典型值） 。 高性能溝道技術極 低R DS （ ON） . SuperSOT TM -6包：占地面積小（ 72 ％小 比標準的SO- 8 ） ;低調（ 1mm厚） 。 應用 • 負荷開關 • 電池保護 • 電源管理