PT4211是連續模式電感降壓轉換器，設計用于驅動一個或多個串聯的LED的電壓源電壓高于LED。該裝置的工作電壓為5V和30V的輸入電源之間提供了一個高達350mA的外部可調輸出電流。

PT4211包括輸出開關和一個高端輸出電流檢測電路，它使用一個外部電阻來設定標稱平均輸出電流，以及一個專用的DIM輸入接受寬范圍的脈沖調光。施加電壓0.4V或低的DIM引腳關掉輸出和開關器件進入低電流待機狀態。內置軟過溫保護保護裝置，防止過溫損壞。

PT4211在SOT23-5封裝是可用的。

特點：

簡單低元件數

寬范圍輸入電壓：5V電壓

達350mA的輸出電流

PWM調光

3%輸出電流精度。

最高開關頻率為1MHz

典型3%輸出電流精度

固有的開路LED保護

效率高（達93%）

調節恒定的LED電流

高邊電流檢測

滯環控制：無補償

軟過溫保護

應用：汽車照明備用照明的LED 照明標志

研調機構IC Insights發布最新報告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創下歷史新高峰，預估達到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據歷史經驗來看，DRAM產業在不久的將來，可能經歷長期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產能增加，今年價格將開始下滑，跌勢更恐達2年之久。

回顧2017年，受惠于數據中心需求，帶動服務器DRAM明顯升溫，同時智能手機與其他移動裝置產品采用低功耗高密度DRAM也同步成長，2017年DRAM價格報價一路上揚，到了第4季依舊強勢，IC Insights預估，2017年第4季DRAM銷售金額將達到211億美元，年增65%，創下歷史新高紀錄。

IC Insights預估，2017年DRAM市場的年增率將達到74%，突破310億美元的規模，如此的歷史新紀錄，主要有5大因素激勵，包括存儲器供應商產能供給有限、20納米以下技術困難度提高、繪圖型DRAM、服務器DRAM以及移動式DRAM的需求成長。

以移動存儲器為例，智能手機搭載DRAM存儲器容量不斷提升，蘋果iPhone 8具有2GB的DRAM，iPhone X具有3GB的DRAM。三星Galaxy S8采用4GB DRAM。華為的P10 Plus和HTC的U11都配備了6GB的DRAM。來自新加坡的主要以視頻游戲設備聞名的Razer公司的第一款智能手機One Plus 5型號更擁有8GB DRAM。

不過，IC Insights提醒，根據歷史趨勢來看，DRAM產業在不久的將來，可能會經歷長期間的景氣向下走勢，因為隨著產能的大幅增加以及DRAM產量的增加，價格將開始下滑，最長恐將2年之久。

三星和SK海力士公布新增資本支出所投入新DRAM產能將于2018年下半年陸續試產，這可能會緩解2018年上半年DRAM的漲勢。三星的南韓平澤廠預計2018年第4季量產DRAM，SK海力士也宣布計劃在中國無錫廠建設新的生產線。

IC Insights也說，DRAM前2大廠三星與SK海力士都將有新產能開出，排名第3大的美光不可能坐視不管，尤其DRAM產業競爭激烈下，美光也有可能再蓋新的晶圓廠。

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