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SM2082EG是單通道LED恒流驅動控制芯片，芯片使用恒流設定和控制技術，輸出電流由外接Rext電電阻設置為5mA-60mA,且輸出電流不隨芯片OUT端口電壓而變化，較好的恒流性能。系統結構簡單，外圍元件較少，方案成本低。

特點：

1.專利的恒流控制技術

a）OUT端口輸出電流外置可調，范圍5mA-60mA

b)芯片間輸出電流偏差小于士4%

2.輸出AC電壓：120V/220V

3.支持可控硅調光應用電路

4.具有過熱保護功能

5.單顆芯片可做12W系統方案

6.芯片可與LED共用PCB板

7.線路簡單，成本低廉

8.封裝形式：ESOP-8

據國際半導體產業協會(SEMI)最新指出，2017年全球半導體產值將首度突破4000億美元的大關，而2018年仍會是樂觀成長的一年，預估半導體產值將成長4%-8%，且2019年產值將可望挑戰5000億美元關口。

SEMI臺灣區產業研究資深經理曾瑞榆表示，2017年是全球半導體產值破紀錄的一年，年成長率達20%，主因是存儲器強勁成長的帶動，其中，DRAM產值年成長75%、儲存型閃存產值(NAND Flash)年成長45%、其他IC產值年成長9%。

三星、海力士、美光擴產 ，今年DRAM產能成長挑戰10%

DRAM和 NAND Flash是這兩年全球半導體產業欣欣向榮的重要推手，尤其是在2017年全球半導體產值沖破4,000億美元中，受DRAM漲價潮帶動功不可沒。據SEMI預估，在三星電子、SK海力士持續擴展DRAM產能下，2018年DRAM供給端產能可能成長10%，這會是較大的成長，然終端需求也急起直追，估計到2021年，DRAM年成長率上看30%。

觀察全球DRAM產業三大陣營三星、海力士、美光，其中三星、SK海力士兩大韓系原廠在擴產腳步上加速，包括三星在南韓平澤(Pyeongtaek)的P1廠房和Line 15生產線，以及SK海力士的M14生產線;另外，美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴產計劃，但目前擴產的主力仍是在韓系兩大廠商。

除了DRAM產業擴產外，針對NAND產業，目前有擴產計劃的業者包括三星平澤廠、SK海力士的M14生產線、美光Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6，以及英特爾大連廠(Fab 68)等。

SEMI估計，2017年DRAM廠設備支出約130億美元，較2016一年成長了一倍，預計2018年持續成長至140億美元水準;2017年NAND產業設備支出約190億美元，較2016年100億美元有飛躍式成長，預計2018年NAND產業設備支出上看200億美元。

事實上，無論是DRAM和NAND陣營對于擴增產能都滿懷信心，但不要忽略，在物聯網、AI、汽車電子和消費類電子的應用驅動下，需求端也是呈現井噴式發展態勢。2017年半導體的主要成長來源是DRAM、NAND、傳感器、光電和分離式元件，預期這些應用今年仍會持續驅動產業成長，另外，無線、車用與消費類電子產品等應用需求也將進一步成長。

半導體產業“三高”氣勢旺，國產化優勢逐步顯現

在2017年全球半導體產值突破4,000美元大關中，3D NAND大廠、DRAM原廠、晶圓代工廠三路人馬均在擴產搶占市場，這也激發出半導體設備材料產業難得一見的巨大商機，面對2018年，整個全球半導體產業將會出現前所未見的欣欣向榮局面。

“六大3D NAND廠、三大DRAM陣營、兩岸晶圓代工廠擴產，帶動2017年晶圓廠設備投資相關支出達570億美元，創下歷史新高記錄。”國際半導體產業協會SEMI預測，2018年晶圓廠設備投資相關支出更會達到630億美元，再度攀上高峰!

除了全球半導體產值和半導體設備投資創新高外，2017年硅晶圓出貨量也出現新高。此即為2017年半導體產業“三高”，分別是產值銷售金額創新高、設備支出創新高、硅晶圓出貨量創新高。

綜觀3D NAND、DRAM、晶圓代工三大陣營的擴產現況，在3D NAND產業方面，計劃擴產的有三星平澤廠、SK海力士的M14生產線、美光Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6，以及英特爾大連廠(Fab 68)等;在DRAM產業方面，則有三星平澤P1廠房和Line 15生產線、SK海力士M14生產線、美光廣島的Fab 15和Fab 16。

根據SEMI統計，2018年DRAM產能增加幅度上看10%;3D NAND產能成長幅度高達48%;晶圓代工達5%。

在晶圓代工產業方面，有12寸廠的擴產計劃的包括臺積電沖刺7納米和5納米制程的Fab 12/14/15晶圓廠;三星的S2和S3;GlobalFoundries的Fab1/8/11;中芯國際的北京廠B2、上海新廠、深圳新廠、聯電的Fab 12A P5和廈門廠。

受此建廠狂潮，最大受益者莫過于半導體機臺設備商，尤其是3D NAND產業和20納米以下制程技術大量使用蝕刻機臺，其次是CVD機臺，相關設備商會最先受惠。

而在全球各地的設備支出金額方面，2017年韓國受惠三星、SK海力士大力擴產DRAM產能，韓國以180億美元取代臺灣躍升為全球最大的支出市場，其次是臺灣的126億美元;此外，SEMI預計，2018年韓國將持續以169億美元穩居第一，而中國大陸可能取代臺灣，成為全球第二大設備支出市場。

另值得注意的是，2018年中國半導體設備材料支出的后勁將會逐步顯現。由于2018年中國大陸受惠許多去年完工的晶圓廠可望進入設備裝機階段，因此中國支出金額會有較大成長。但與過去不同的是，過去大陸的晶圓廠投資大多來自外來廠商，而在2018年大陸本土晶圓廠設備支出金額將首次趕上外來廠商水準，包括長江存儲、福建晉華、華力微電子、合肥長鑫等許多新進業者都計劃在中國大陸大舉投資設廠的計劃，并且建置，產業格局將逐步改變。

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