瀚佳科技（深圳）有限公司
聯系人:李先生李小姐（只售原裝現貨）
電話:0755-23140719/15323480719
QQ3441530696/3449124707
地址:深圳市福田區振華路中航苑鼎城大廈1607室
制造商: ROHM Semiconductor
產品種類: 開關控制器
拓撲結構: -
輸出端數量: 1 Output
開關頻率: 100 kHz
占空比 - 最大: -
輸入電壓: 3 V to 16 V
輸出電壓: 30 V to 35 V
輸出電流: -
最小工作溫度: - 20 C
最大工作溫度: + 75 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOP-8
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
描述/功能: Switching regulator For Electronic Tuning
絕緣: Non-Isolated
輸出功率: -
輸出類型: Adjustable
產品: Switching Controllers
系列: BA6161F
商標: ROHM Semiconductor
關閉: No Shutdown
開發套件: -
下降時間: -
工作電源電流: -
工作電源電壓: 3 V to 16 V
上升時間: -
工廠包裝數量: 2500
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BA6161F-E2三星宣布全球首發量產512GB eUFS閃存
12月5日消息三星電子今天宣布，已經開始批量生產業內首款512GB嵌入式通用閃存(eUFS)，以用于下一代移動設備。據介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆(Gb)V-NAND芯片和一個控制器芯片。
為了最大限度發揮512GB eUFS的性能和能源效率，三星推出了一套新的獨家技術。三星512GB eUFS控制器采用64層512Gb V-NAND先進的電路設計和新的電源管理技術，將能源消耗降到最低。另外，512GB eUFS控制器芯片加速了將邏輯塊地址轉換為物理塊地址的映射過程。
三星512GB eUFS讀寫性能也非常強大。512GB嵌入式存儲器的順序讀寫速度分別達到860MB/s和255MB/s，能夠在6秒內將5GB的全高清視頻片段傳輸到SSD，相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。
對于隨機操作，三星512GB eUFS可以讀取42,000 IOPS并寫入40,000 IOPS。基于eUFS的快速隨機寫入，比傳統micro SD卡的100 IOPS速度快大約400倍，移動用戶可以享受無縫的多媒體體驗，如高分辨率連拍，以及雙重文件搜索和視頻下載應用程序查看模式。
另外，三星還計劃穩步增加其64層512Gb V-NAND芯片的產量，并擴大256Gb V-NAND芯片的產量，以滿足高級嵌入式移動存儲以及高密度、高性能的高級固態硬盤和可移動存儲卡的需求。
