制造商: Microchip
產品種類: 閃存
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-48
存儲容量: 8 Mbit
接口類型: Parallel
存儲類型: NOR
速度: 70 ns
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電流—最大值: 30 mA
工作溫度范圍: 0 C to + 70 C
系列: SST39VF
封裝: Tray
組織: 512 k x 16
結構: Sector
商標: Microchip Technology
數據總線寬度: 16 bit
最大工作溫度: + 70 C
最小工作溫度: 0 C
濕度敏感性: Yes
標準: Common Flash Interface (CFI)
工廠包裝數量: 96
定時類型: Asynchronous
AOS/萬代：
AO3401 AO3400 AO3402 AO3403 AO3404
AO3406 AO3407 AO3409 AO3414 AO3415
AO4403 AO4405 AO4406 AO4407 AO4409
AO4411 AO4419 AO4423 AO4430 AO4447
AO4455 AOD407 AOD418 AOD444 AOD476
AOD482 AOB409L AOB440 AOT240L AOT404
AOT440 AOTF10N60 AOTF12N60 AOTF20N60 AOTF16N50
FAIRCHILD/仙童：
FQB19N20 FDB2552 FDB5800 FDB2532 FQB4N80
FQB33N10 FQB44N10 FDB3632 FDB8870 FQB34P10
FDD6670 FDD2670 FDD2582 FQD8P10 FQD3P50
FQD2N50 FQD1N60C FDD3N40 FDD3860 FQP17P10
FQP13N50 FDP8870 FQP55N10 FDP3682 FQP27N25
FQP70N10 FQP50N06 FQP65N06 FDP047N08 FQP60N06
FDPF16N50 FQPF4N90C FQPF85N06 FQPF5N80 FQPF4N60C
IR/整流器：
IRF1404S IRF1407S IRFS3307 IRFS3607 IRF2804S
IRF4905S IRF1104S IRL1104S IRF540NS IRF640NS
IRFR110 IRFR9110 IRFR210 IRFR220 IRFR230
IRFR5305 IRLR2905 IRFR3708 IRFR4120 IRLR8113
IRF1404PBF IRF640NPBF IRF1404PBF IRFZ44N IRFB4110PBF
IRL3303 IRF840PBF IRFIZ44N IRLI2505 IRFIB6N60
IRFIBC30G IRFIBC30G IRFIZ48G IRFI830G IRFI1010N
ST/意法：
STGB7NB60HD STGB6NC60HD L7805CD2T L7808CD2T L7806CD2T
L7812CD2T STB120N4F6 STB150NF04 STB170NF04 STB270N4F3
STB120NF10 LD1117DT33TR LD1117DTTR L78M05ACDT-TR L78M06ACDT-TR
L78M10 L78M18 L78M20 LD1117DT28TR STD12N06
STP10NM65N STP21N65M5 STP35N65M5 STP5N62K3 STF26NM60N
STF34NM60N STF4N52K3 STF6NK70Z STP14NK60Z STP3NK60ZFP
STP3N150 STP20NM50 STP40NF20 STP8NK100Z STP80N20M5
Winbond/華邦：
W25Q128FVFIG W25Q128FVEIG W25Q32BVSSIG W25Q16BVSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q80DVSSIG W25Q256FVEIG W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ
W971GG6KB-25 W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ W971GG6KB-25
W25X10BVSNIG W25X10CLSNIG W25X20BVSNIG W25X20CLSNIG W25X40BVSNIG
W25X40CLSNIG W25Q80BVSSIG W25Q16DVSSIG W25Q32FVSSIG W25Q64BVSFIG
W25Q64FVSSIG W25Q128FVSSIG W25Q128BVFIG W25Q256FVFIG W25Q256FVEIM
MAXIM/美信：
MAX6350AESA MAX6350CSA MAX2235EUP MAX6350ESA MAX6325ESA
MAX6325ACSA MAX6325CSA MAX6225ACSA MAX6225BESA MAX6225ESA
MAX3430CSA MAX774ESA MAX9140EUK MAX1836EUT33 MAX4427ESA
MAX4427CSA MG3500A3-376B MAX797CSE MAX1993ETG MAX6250ESA
MAX6250CSA MAX487CSA MAX3223CAP MAX690EPA MAX481ECPA
MAX223EAI MAX815TCSA MAX4544CSA MAX706SCSA MAX709SCSA
MAX9947ETE MAX696CWE MAX1771CSA MAX489ECSD MAX6338CUB
SST39VF800A-70-4C-EKE驍龍845提升30%!三星S9/S9+美版現身
三星方面已經確認，Galaxy S9將于2月份的MWC(世界移動通信大會)上發布，地點西班牙巴塞羅那。
不過，和此前的美版機器一樣，移動4G僅覆蓋一個B41頻段，國內用戶想用低價的水貨，也只有聯通能完美了。
結合此前的Geekbench 4跑分數據，S9+美版搭載的是驍龍845芯片，整體性能比驍龍835的提升大約在30%。
其他配置方面，一份疑似S9的包裝單顯示，小屏(5，8英寸)版的它這一次僅4GB RAM，依然支持IP68放水、無線充電、2K分辨率AMOLED顯示屏、虹膜識別。
當然，主攝像頭升級為F1.5/2.4可變光圈，支持超級慢動作拍攝、AKG立體聲揚聲器和耳機等。
至于外形，三星S9/S9+依然延續正面全視曲面屏設計，“額頭”和“下巴”收窄提高屏幕占比，背部的話，S9是單攝，S9+是雙攝，指紋也從前作的側面放到了攝像頭下面，便于夠到。
售價方面，由于一些關鍵元器件的采購成本攀升，產業鏈稱S9/S9+也難免遭受波及。
