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STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™功率MOSFET采用MDmesh™ K5技術設計。該技術基于創新的專有垂直結構，可為各種應用降低導通電阻并實現超低柵極電荷。STF10LN80K5功率MOSFET具有業界最佳的品質因數 (FoM) 和最低的RDS(on) x面積。STF10LN80K5功率MOSFET內置齊納二極管，增強了該器件的靜電放電 (ESD) 防護性能。該器件的齊納電壓無需額外的外部元件，有助于實現經濟高效的器件完整性保護。STF10LN80K5功率MOSFET非常適合用于開關應用。

特性

業界最低的RDS(on) x面積

業內最佳的品質因數 (FoM)

超低柵極電荷

100%經雪崩測試

齊納保護

應用

開關應用

制造商: STMicroelectronics

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220FP-3

通道數量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V

Id-連續漏極電流: 8 A

Rds On-漏源導通電阻: 630 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

Qg-柵極電荷: 15 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

配置: Single

通道模式: Enhancement

系列: MDmesh K5

晶體管類型: 1 N-Channel

商標: STMicroelectronics

下降時間: 13 ns

Pd-功率耗散: 25 W

上升時間: 10 ns

工廠包裝數量: 1000

典型關閉延遲時間: 28 ns

典型接通延遲時間: 11.8 ns

單位重量: 2 g