制造商: ON Semiconductor
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-70-3
晶體管極性: PNP
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: - 65 V
集電極—基極電壓 VCBO: - 80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: - 5 V
集電極—射極飽和電壓: - 0.65 V
增益帶寬產品fT: 100 MHz
最大工作溫度: + 150 C
系列: BC856BW
直流電流增益 hFE 最大值: 475
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: ON Semiconductor
集電極連續電流: - 0.1 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 220
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 150 mW
工廠包裝數量: 3000
單位重量: 6.200 mg
AOS/萬代：
AO3401 AO3400 AO3402 AO3403 AO3404
AO3406 AO3407 AO3409 AO3414 AO3415
AO4403 AO4405 AO4406 AO4407 AO4409
AO4411 AO4419 AO4423 AO4430 AO4447
AO4455 AOD407 AOD418 AOD444 AOD476
AOD482 AOB409L AOB440 AOT240L AOT404
AOT440 AOTF10N60 AOTF12N60 AOTF20N60 AOTF16N50
FAIRCHILD/仙童：
FQB19N20 FDB2552 FDB5800 FDB2532 FQB4N80
FQB33N10 FQB44N10 FDB3632 FDB8870 FQB34P10
FDD6670 FDD2670 FDD2582 FQD8P10 FQD3P50
FQD2N50 FQD1N60C FDD3N40 FDD3860 FQP17P10
FQP13N50 FDP8870 FQP55N10 FDP3682 FQP27N25
FQP70N10 FQP50N06 FQP65N06 FDP047N08 FQP60N06
FDPF16N50 FQPF4N90C FQPF85N06 FQPF5N80 FQPF4N60C
IR/整流器：
IRF1404S IRF1407S IRFS3307 IRFS3607 IRF2804S
IRF4905S IRF1104S IRL1104S IRF540NS IRF640NS
IRFR110 IRFR9110 IRFR210 IRFR220 IRFR230
IRFR5305 IRLR2905 IRFR3708 IRFR4120 IRLR8113
IRF1404PBF IRF640NPBF IRF1404PBF IRFZ44N IRFB4110PBF
IRL3303 IRF840PBF IRFIZ44N IRLI2505 IRFIB6N60
IRFIBC30G IRFIBC30G IRFIZ48G IRFI830G IRFI1010N
ST/意法：
STGB7NB60HD STGB6NC60HD L7805CD2T L7808CD2T L7806CD2T
L7812CD2T STB120N4F6 STB150NF04 STB170NF04 STB270N4F3
STB120NF10 LD1117DT33TR LD1117DTTR L78M05ACDT-TR L78M06ACDT-TR
L78M10 L78M18 L78M20 LD1117DT28TR STD12N06
STP10NM65N STP21N65M5 STP35N65M5 STP5N62K3 STF26NM60N
STF34NM60N STF4N52K3 STF6NK70Z STP14NK60Z STP3NK60ZFP
STP3N150 STP20NM50 STP40NF20 STP8NK100Z STP80N20M5
Winbond/華邦：
W25Q128FVFIG W25Q128FVEIG W25Q32BVSSIG W25Q16BVSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q80DVSSIG W25Q256FVEIG W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ
W971GG6KB-25 W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ W971GG6KB-25
W25X10BVSNIG W25X10CLSNIG W25X20BVSNIG W25X20CLSNIG W25X40BVSNIG
W25X40CLSNIG W25Q80BVSSIG W25Q16DVSSIG W25Q32FVSSIG W25Q64BVSFIG
W25Q64FVSSIG W25Q128FVSSIG W25Q128BVFIG W25Q256FVFIG W25Q256FVEIM
MAXIM/美信：
MAX6350AESA MAX6350CSA MAX2235EUP MAX6350ESA MAX6325ESA
MAX6325ACSA MAX6325CSA MAX6225ACSA MAX6225BESA MAX6225ESA
MAX3430CSA MAX774ESA MAX9140EUK MAX1836EUT33 MAX4427ESA
MAX4427CSA MG3500A3-376B MAX797CSE MAX1993ETG MAX6250ESA
MAX6250CSA MAX487CSA MAX3223CAP MAX690EPA MAX481ECPA
MAX223EAI MAX815TCSA MAX4544CSA MAX706SCSA MAX709SCSA
MAX9947ETE MAX696CWE MAX1771CSA MAX489ECSD MAX6338CUB
SBC856BWT1G中芯國際即將試產14nm
在過去幾年中，中國政府大力推動國內半導體產業的發展，實現更多芯片的國產化。據悉，除了涌現大量的半導體設計公司之外，中國大陸的芯片代工廠也正在擴大產能，并在巨頭的壓力下闖出一條發展道路。
半導體市場分為設計和代工兩大類。如今幾乎所有的設計公司均沒有芯片制造生產線，而是委托給臺積電、三星電子半導體事業部等代工，而代工廠每年都需要投入巨額資金研發最新工藝，建設新的生產線。
據臺灣網站報道，國內出現了三大半導體代工廠商，分別是中芯國際、華虹半導體和華力微電子公司。這三家公司目前正在擴大芯片制造能力。
中國政府已經制定了發展半導體產業的宏偉目標，2016年，芯片國產率只有26.2%，到2025年，國產率將增加到七成。這意味著國內的半導體制造能力也要同步增加。
在半導體制造方面，中國大陸的公司目前處于落后。據悉，臺積電、格羅方德、臺聯電等公司在中國大陸建設了一些工廠，目前正在建設“12英寸晶圓”芯片廠(芯片廠加工的晶圓直徑為12英寸，晶圓面積越大，生產效率越高)。
據報道，由于在芯片制造技術方面暫時落后，中國大陸本土代工廠主要瞄準了汽車電子芯片等市場，這種芯片并不需要最先進的制造工藝。
臺灣電子時報研究部表示，中國大陸三家芯片代工廠的產能提升，將主要取決于國內芯片市場。
在全球半導體代工市場，臺灣地區的臺積電是占據了半壁江山的巨無霸企業，臺積電是蘋果公司芯片最重要的代工廠，而且近些年在蘋果訂單中占到的比例越來越高，對三星電子形成了巨大壓力。
在半導體的制造工藝中，作為線寬的“納米”數成為最重要的衡量指標，線寬越小，單位面積整合的晶體管數量越多，處理性能越強大，電耗也就越低。臺積電不久前宣布，將會建設全球第一家3納米芯片制造廠，計劃在2020年投產。
據悉，臺積電和三星電子已經采用10納米工藝生產芯片。
中國大陸的半導體工廠，目前已經具備多少納米的制造工藝，尚不得而知。去年業內曾有消息稱，中芯國際將會在2019年，采用14納米工藝生產芯片。
在中國內地半導體設計公司方面，去年底行業機構公布的統計數據顯示，中國內地已經擁有近1400家芯片設計公司，去年的總收入將達到300億美元。
在一些低端智能手機中，國產機廠商開始嘗試使用內地設計公司的處理器。不過主流的處理器依然來自高通和聯發科。
