制造商: Cree, Inc.
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1200 V
Id-連續漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導通電阻: 25 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.4 V
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V
Qg-柵極電荷: 406 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 463 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 21.1 mm
長度: 5.21 mm
產品: Power MOSFET
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Silicon Carbide Power MOSFET
寬度: 16.13 mm
商標: Wolfspeed / Cree
正向跨導 - 最小值: 23.6 S
下降時間: 28.4 ns
NumOfPackaging: 1
上升時間: 31.6 ns
工廠包裝數量: 600
典型關閉延遲時間: 28.8 ns
典型接通延遲時間: 14.4 ns
單位重量: 38 g