RoHS：
無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求封裝：管件
說明：MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
PCN Assembly/Origin：Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
標準包裝：50
類別：分立式導體產品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET?
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：79A （Tc）
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.4 毫歐 @ 47A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：69nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2290pF @ 50V
功率 - 最大值：110W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220AB
