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Microsemi碳化硅肖特基勢壘二極管 (SBD) 具有出色的動態性能和熱性能，優于傳統的硅功率二極管。碳化硅勢壘二極管由硅 (Si) 和碳 (C) 組成。與純硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙和更高的熱導率。碳化硅肖特基二極管具有零正向和反向恢復電荷，可減少二極管的開關損耗。這些器件還設有溫度獨立開關，可確保穩定的高溫性能。

這些碳化硅肖特基勢壘二極管適用于各種工業應用，包括太陽能逆變器、焊接、等離子切割器、車輛快速充電、石油勘探以及其他需要高功率密度、極高性能和可靠性的大功率、高壓應用。

特性

零反向恢復電荷提高了系統效率

低正向電壓

低漏電流

熱導率比純硅器件高2.5倍

高雪崩 (UIS) 額定值

寬工作結溫范圍（-55°C至+175°C）和儲存溫度范圍

最大限度地降低了對散熱片的要求

高效率

高功率密度

采用緊湊的TO-220和TO-247封裝

減少了電路尺寸并降低了系統成本

符合RoHS指令

應用

商業航空：

驅動、空調、配電

工業：

電機驅動器、焊接、不間斷電源、感應加熱、開關模式電源

運輸/汽車：

電動汽車電池充電器、車載充電器、混合動力汽車/電動汽車動力傳動系統、直流-直流轉換器、能量回收

智能能源：

光伏逆變器、風力渦輪機

醫療：

MRI電源、X射線電源

國防和石油鉆探：

電機驅動器、輔助電源

MSC010SDA120B

MSC010SDA120K

MSC030SDA120B

MSC020SDA120B

MSC030SDA070K

MSC050SDA070B

MSC010SDA070K

MSC010SDA120B 制造商: Microsemi

產品種類: 肖特基二極管與整流器

產品: Schottky Silicon Carbide Diodes

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-2

If - 正向電流: 10 A

Vrrm - 重復反向電壓: 1200 V

Vf - 正向電壓: 1.5 V

配置: Single

技術: SiC

系列: MSC0

封裝: Tube

商標: Microsemi

工廠包裝數量: 50

Vr - 反向電壓 : 1200 V

深圳市燁弘軒電子有限公司，我司2011年成立于中國經濟特區深圳.我司專注于為全球電子企業提供優質的電子零件供應服務，竭力打造全球品牌元器件零售與批量供應中心。專業經營各類電子元器件（集成電路IC，存儲芯片，分立器件,電源,無源元件,連接器,繼電器,傳感器,光電子,開關,保險元件,緊固件,開發工具,變壓器,測試與測量等）。 我們以低成本提供全方位一站式電子元件供應鏈采購方案，包括但不僅限于電子元件緊急物料搜尋，電子元件齊套供應、電子元件降低成本的長期供應，庫存寄售等一系列供應鏈解決方案。優勢供應各類電子組件.

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