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CGHV40200PP 有現貨 可添加我們聯系方式獲取最優惠價格
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Wolfspeed/Cree CGHV40200PP GaN HEMT在50V電源電壓下工作，為射頻和微波應用提供了寬帶解決方案。該款Gan高電子遷移率晶體管具有高效率、高增益和高帶寬能力。得益于以上特性，CGHV40200PP非常適合用于線性和壓縮放大器電路。CGHV40200PP GaN HEMT采用4引腳法蘭封裝。典型應用包括雙向無線電、寬帶放大器、雷達放大器和測試儀器儀表。
特性
工作頻率高達2.7GHz
小信號增益：21dB (1.8GHz)
Psat：250W（典型值）
50V電源電壓
規格
功率輸出：200W
漏源電壓：125V (25oC)
工作結溫：225oC
焊接溫度：245oC
應用
雙向私有無線電
寬帶放大器
雷達放大器
測試儀器儀表
適用于OFDM、W-CDMA、EDGE及CDMA波形的A類、AB類線性放大器
CGHV40200PP 制造商: Cree, Inc.
產品種類: 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管
晶體管類型: HEMT
技術: GaN
增益: 16.1 dB
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 : - 10 V, + 2 V
Id-連續漏極電流: 8.7 A
輸出功率: 250 W
最大漏極/柵極電壓: -
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 166 W
安裝風格: Screw
封裝 / 箱體: 440199
封裝: Tray
配置: Single
工作頻率: 1.7 GHz to 1.9 GHz
商標: Wolfspeed / Cree
正向跨導 - 最小值: -
開發套件: CGHV40200PP-AMP1
工廠包裝數量: 50
Vgs th-柵源極閾值電壓: - 3 V
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