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Renesas IGBT Transistors incorporate Trench gate, thin wafer technology, and feature built-in fast recovery diode in one package. These transistors include single configuration and incorporate through hole mounting style. The IGBT transistor's collector to emitter voltage ranges from 600V to 650V. Typical applications include current resonance circuit, inverters, induction heating, microwave oven, and power factor correction circuit.
Features
Trench gate and thin wafer technology
Built-in fast recovery diode in one package
Low collector to emitter saturation voltage
High-speed switching
Applications
Current resonance circuit
Inverters
Induction heating
Microwave oven
Power factor correction circuit
RJH65D27BDPQ-A0#T2
RJH65T46DPQ-A0#T0
RJH65T47DPQ-A0#T0
RJH60T04DPQ-A1#T0 制造商: Renesas Electronics
產品種類: IGBT 晶體管
封裝 / 箱體: TO-247A-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.5 V
柵極/發射極最大電壓: +/- 30 V
在25 C的連續集電極電流: 60 A
Pd-功率耗散: 208.3 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
集電極最大連續電流 Ic: 60 A
商標: Renesas Electronics
柵極—射極漏泄電流: +/- 1 uA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 1
子類別: IGBTs
單位重量: 6 g
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