CGHV40180F GaN HEMT Wolfspeed 的高電子遷移率晶體管為各種 RF 和微波應用提供通用寬帶解決方案

CGHV40180F GaN HEMT 圖片" class="right" height="127" src="https://www.digikey.com.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/C/Cree%20Inc/CGHV40180F%20GaN%20HEMT/cree-CGHV40180F-gan-hemt.jpg?ts=f1adee82-db8c-494e-98bb-359a2e958415&la=zh-CN-RMB" width="200" title="Cree CGHV40180F GaN HEMT" style="float:right;margin:0px 0px 10px 15px;" />Wolfspeed的 CGHV40180F 是一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40180F 采用 50 V 電源軌工作，可為各種 RF 和微波應用提供通用寬帶解決方案。GaN HEMT 具有高效率、高增益和寬帶寬特性，因此 CGHV40180F 是線性和壓縮放大器電路的理想之選。該晶體管采用 2 引線法蘭式封裝。

特性 應用
高達 1000 MHz 的工作頻率 900 GHz 時具有 24 dB 小信號增益 900 MHz 時具有 20 dB 功率增益 900 MHz 時具有 250 W 典型輸出功率 PSAT時效率為 75% 軍事通訊 公共安全 VHF-UHF 應用 雷達 醫療 寬帶放大器